公开(公告)号：CN110862088B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201911046950.7

申请日：2019-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 涂学凑 ,  孟庆雨 ,  刘梦欣 ,  康琳 ,  张蜡宝 ,  贾小氢 ,  赵清源 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: C01B33/021 ,  C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法，在硅衬底上旋涂MMA和PMMA A2双层光刻胶；对涂覆MMA和PMMA A2双层光刻胶的硅衬底进行电子束曝光，在硅衬底上制作抗蚀剂图形；对形成抗蚀剂图形的硅衬底进行电子束蒸发，在硅衬底上沉积一层Al薄膜；对沉积Al薄膜后的硅衬底进行剥离，得到沉积在硅衬底上的Al薄膜阵列，为后续ICP刻蚀工艺提供掩膜；对覆盖Al掩膜的硅衬底进行ICP硅刻蚀，制作硅纳米针阵列结构。通过本发明工艺流程能够稳定地获得超高深宽比的硅纳米针阵列结构，单个硅纳米针形态良好，侧壁光滑，最小针尖直径达到10nm，深宽比可达1450。

公开(公告)号：CN110862088A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911046950.7

申请日：2019-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 涂学凑 ,  孟庆雨 ,  刘梦欣 ,  康琳 ,  张蜡宝 ,  贾小氢 ,  赵清源 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: C01B33/021 ,  C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法，在硅衬底上旋涂MMA和PMMA A2双层光刻胶；对涂覆MMA和PMMA A2双层光刻胶的硅衬底进行电子束曝光，在硅衬底上制作抗蚀剂图形；对形成抗蚀剂图形的硅衬底进行电子束蒸发，在硅衬底上沉积一层Al薄膜；对沉积Al薄膜后的硅衬底进行剥离，得到沉积在硅衬底上的Al薄膜阵列，为后续ICP刻蚀工艺提供掩膜；对覆盖Al掩膜的硅衬底进行ICP硅刻蚀，制作硅纳米针阵列结构。通过本发明工艺流程能够稳定地获得超高深宽比的硅纳米针阵列结构，单个硅纳米针形态良好，侧壁光滑，最小针尖直径达到10nm，深宽比可达1450。