公开(公告)号：CN1258757A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN99120674.6

申请日：1999-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐少龙 ,  都有为 ,  张世远 ,  王敦辉 ,  章建荣 ,  金志强

IPC: C22C38/10

Abstract: 一种高Pr稀土巨磁致伸缩材料,具有如下组成的合金Pr1-xTbx(Fe1-yCoy)2(0≤x≤0.4,0.2≤y≤0.5)。其制法是在磁控电弧炉高纯氩气氛中熔炼获得均匀的铸锭,快淬在快淬炉内进行,熔炼合金熔化后通过直径为0.5mm～1mm的小孔喷出,获得快淬条带,然后退火快淬条带获得(Pr,Tb)(Fe,Co)2立方Laves单相。

公开(公告)号：CN1069435C

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN96117043.3

申请日：1996-07-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 都有为 ,  张世远 ,  桑海

IPC: H01F10/16 ,  H01F1/01

Abstract: 一种磁传感器材料，其特征是采用磁控溅射，离子束溅射、快淬等工艺将铁磁性颗粒镶嵌在不相固溶的非磁性介质之中，形式非均匀相组成体系，其化学通式为：FxA(1-x)其中F代表Fe，Ni，Co，Mn，FeSi，FeCo，FeNi，MnAl，MnBi等铁磁性金属及其合金。A代表Au，Ag，Cu等与Fe，Ni，Co不相固溶的金属，以及SiO2，Al2O3，BN等绝缘体以及Si，Ge等半导体元素，X为体积百分数，取X为10＜X＜50%。本发明的特点是采用溅射、快淬工艺一次生成颗粒膜，其工艺较多层膜简便、成品率高、价格低廉。

公开(公告)号：CN1172332A

公开(公告)日：1998-02-04

申请号：CN96117043.3

申请日：1996-07-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 都有为 ,  张世远 ,  桑海

IPC: H01F7/00

Abstract: 一种磁传感器材料,其特征是采用磁控溅射,离子束溅射、快淬等工艺将铁磁性颗粒镶嵌在不相固溶的非磁性介质之中,形式非均匀相组成体系,其化学通式为:FxA(1－x)其中F代表Fe,Ni,Co,Mn,FeSi,FeCo,FeNi,MnAl,MnBi等铁磁性金属及其合金。A代表Au,Ag,Cu等与Fe,Ni,Co不相固溶的金属,以及SiO2,Al2O3,BN等绝缘体以及Si,Ge等半导体元素,X为体积百分数,取X为10

公开(公告)号：CN1090682C

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN99120674.6

申请日：1999-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐少龙 ,  都有为 ,  张世远 ,  王敦辉 ,  章建荣 ,  金志强

IPC: C22C38/10

Abstract: 一种高Pr稀土巨磁致伸缩材料，具有如下组成的合金Pr1-xTbx(Fe1-yCoy)2(0≤x≤0.4，0.2≤y≤5)。其制法是在磁控电弧炉高纯氩气氛中熔炼获得均匀的铸锭，快淬在快淬炉内进行，熔炼合金熔化后通过直径为0.5mm～1mm的小孔喷出，获得快淬条带，然后退火快淬条带获得(Pr，Tb)(Fe，Co)2立方Laves单相。