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公开(公告)号：CN101158026A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710132283.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法，该方法包括(a)MgO或Si或SiOx/Si单晶基片的清洗；(b)将基片放入磁控溅射系统中的样品座上，样品座采用冷却循环水进行冷却，水温度低于摄氏20度；(c)对系统进行抽真空，利用离子束清洗技术清洗基片；(d)清洗结束，系统继续抽真空；(e)溅射生长NbN薄膜。XRD、AFM、TEM研究，证实了薄膜的外延性能以及薄膜生长的连续性和致密性。Si基片上的SiOx层有助于提高超薄NbN超导薄膜的超导电能，和单纯的单晶Si基片相比，其上生长的超薄NbN超导薄膜的Tc和Jc都更高。
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