公开(公告)号：CN104502868A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410830011.2

申请日：2014-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘红兵 ,  李丽 ,  吕飞 ,  朱振铎 ,  张祯彦 ,  何书专 ,  李伟 ,  沙金

IPC: G01R33/07

Abstract: 本发明涉及一种高精度的十字霍尔传感器的电路模型，所述电路模型包括十字型霍尔盘以及依次设置于所述霍尔盘外侧N阱(N-well)层、P衬底，霍尔盘有效区的两侧设有耗尽区，所述霍尔盘包括四枝与一个中间区域，所述四枝分别与中间区域连接，包括用于模拟霍尔盘的中间区域的八个非线性电阻；用于模拟霍尔盘四枝的四个结型场效应晶体管；用于模拟霍尔盘有效区两侧的耗尽区的四个反偏二级管电路；用于模拟霍尔电压的四个受控电流源。有益效果为：在不增加模型复杂度的基础上提高了模型的精确度，保证了模型的对称性，增强了模型交流方面的性能。

公开(公告)号：CN104833377A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510263525.9

申请日：2015-05-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘红兵 ,  朱振铎 ,  吕飞 ,  张祯彦 ,  李丽 ,  何书专 ,  李伟 ,  沙金

IPC: G01D5/12

Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度水平霍尔盘，包括霍尔阱，用于在磁场和电场中通过霍尔效应产生电荷的载体；电极，分别与霍尔阱连接，用于输入偏置电压，输出霍尔电压；底层衬底，设于霍尔阱的底部，用于与十字霍尔阱产生反向偏置PN结，从而产生用于隔离霍尔阱的耗尽区，避免漏电；有源接地环，用于向霍尔盘提供相对电势零点；内侧和外侧保护环，包绕在霍尔阱的周侧，用于隔离霍尔阱，避免漏电流，屏蔽外部干扰；顶层金属层，设于霍尔阱的顶部，用于隔离霍尔阱，屏蔽外部干扰，降低霍尔盘工作时产生的闪烁噪声。有益效果为：不仅具有高灵敏度和低温度效应等特性，同时还具有体积小、结构简单、工艺兼容性好、加工成品率高等优势。

公开(公告)号：CN104833377B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510263525.9

申请日：2015-05-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘红兵 ,  朱振铎 ,  吕飞 ,  张祯彦 ,  李丽 ,  何书专 ,  李伟 ,  沙金

IPC: G01D5/12

Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度水平霍尔盘，包括霍尔阱，用于在磁场和电场中通过霍尔效应产生电荷的载体；电极，分别与霍尔阱连接，用于输入偏置电压，输出霍尔电压；底层衬底，设于霍尔阱的底部，用于与十字霍尔阱产生反向偏置PN结，从而产生用于隔离霍尔阱的耗尽区，避免漏电；有源接地环，用于向霍尔盘提供相对电势零点；内侧和外侧保护环，包绕在霍尔阱的周侧，用于隔离霍尔阱，避免漏电流，屏蔽外部干扰；顶层金属层，设于霍尔阱的顶部，用于隔离霍尔阱，屏蔽外部干扰，降低霍尔盘工作时产生的闪烁噪声。有益效果为：不仅具有高灵敏度和低温度效应等特性，同时还具有体积小、结构简单、工艺兼容性好、加工成品率高等优势。