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公开(公告)号：CN116914057A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310948096.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/44 , H01L33/00 , H01L21/683 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种GaN基光电器件的中间结构及制备方法，所述方法包括制备衬底；在所述衬底的一侧沉积介质牺牲层；在所述介质牺牲层的一侧制作光电器件结构；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述介质牺牲层；对光电器件进行剥离和转移。本发明至少有利于无损伤剥离柔性GaN基Micro‑LED或HEMT的光电器件结构。
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