公开(公告)号：CN105140277B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510347068.1

申请日：2015-06-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张城绪 ,  闫锋 ,  杨琪轩 ,  廖轶明

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层。源区的面积大于漏区的面积。该新型太赫兹传感器通过栅电压控制隧穿结处的势垒宽度使源区电子通过隧穿到达沟道区的导带，完成器件开启。利用开启电流与栅电压之间存在非线性关系，可以实现将高频频率信号整流；基于隧穿晶体管结构的新型太赫兹传感器的响应高，等效噪声功率低，更好的满足高频应用中的需求。

公开(公告)号：CN109282903A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710596908.7

申请日：2017-07-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张朝阳 ,  杨琪轩 ,  沈凡翔 ,  黄延 ,  段佳华 ,  朱晨昕 ,  司伟 ,  闫锋

IPC: G01J5/20

Abstract: 本发明公开了一种基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计。该微测辐射热计包括L形微桥结构，微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体，红外吸收体为多层结构，自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层。本发明的微测辐射热计结构与传统的微测辐射热计结构相比，在热敏电阻层上面增加了金属光栅，形成MIM结构，该结构利用表面电磁波激发共振，显著提高了探测器的红外吸收率，增加了探测器响应，实现高效率探测。同时本发明的微测辐射热计基于标准CMOS集成电路工艺，具有工艺上容易实现、价格低廉等优点。

公开(公告)号：CN105140277A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510347068.1

申请日：2015-06-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张城绪 ,  闫锋 ,  杨琪轩 ,  廖轶明

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L29/7311 ,  G01J1/42 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0808

Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层。源区的面积大于漏区的面积。该新型太赫兹传感器通过栅电压控制隧穿结处的势垒宽度使源区电子通过隧穿到达沟道区的导带，完成器件开启。利用开启电流与栅电压之间存在非线性关系，可以实现将高频频率信号整流；基于隧穿晶体管结构的新型太赫兹传感器的响应高，等效噪声功率低，更好的满足高频应用中的需求。

公开(公告)号：CN109282903B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201710596908.7

申请日：2017-07-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张朝阳 ,  杨琪轩 ,  沈凡翔 ,  黄延 ,  段佳华 ,  朱晨昕 ,  司伟 ,  闫锋

IPC: G01J5/20

Abstract: 本发明公开了一种基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计。该微测辐射热计包括L形微桥结构，微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体，红外吸收体为多层结构，自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层。本发明的微测辐射热计结构与传统的微测辐射热计结构相比，在热敏电阻层上面增加了金属光栅，形成MIM结构，该结构利用表面电磁波激发共振，显著提高了探测器的红外吸收率，增加了探测器响应，实现高效率探测。同时本发明的微测辐射热计基于标准CMOS集成电路工艺，具有工艺上容易实现、价格低廉等优点。