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公开(公告)号：CN115710749B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211324028.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN115710749A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211324028.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。
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