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公开(公告)号：CN112501555A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011299451.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，属于二维纳米材料技术领域。该单层二硫化钼薄膜采用双管管式炉制备，制备过程包括如下步骤：将硫源、衬底置于管式炉的外管中，分别加热硫源、衬底至第一温度和第三温度；将二硫化钼源置于管式炉的内管中，加热二硫化钼源至第二温度，第二温度为500℃～550℃；通过外管引入第一路载气、引导硫蒸汽至衬底；通过内管引入第二路载气、引导二硫化钼蒸汽至衬底，在衬底上外延生长出单层二硫化钼薄膜；第二路载气含有氧气。本发明的方法可以使钼源(二硫化钼)在较低温度下分解，与现有方法中需将钼源加热并维持在生长温度(1000℃以上)相比，大大降低了钼源温度，可快速低成本地制备出单层二硫化钼薄膜。
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