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公开(公告)号：CN116387955A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310538461.3
申请日：2023-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01S3/1118
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基IV族合金材料的红外可饱和吸收器件，使用基于IV族合金材料的应变补偿量子阱结构作为可饱和吸收层，工作波长覆盖1.9‑2.5μm，并且器件参数具有可调特性；器件包括可饱和吸收层和承载该可饱和吸收层所需的光学元件。其中反射型可饱和吸收器件具有如下材料分布：功能层(1)、光学衬底(2)、缓冲层(3)、可饱和吸收层(4)和反射层(5)构成，可饱和吸收层采用应变补偿量子阱结构；透射型可饱和吸收器由功能层(1)、光学衬底(2)、缓冲层(3)和可饱和吸收层(4)组成，可饱和吸收层采用应变补偿量子阱结构；通过控制合金材料的组分可实现对器件光学参数的精确调控。
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