公开(公告)号：CN100362375C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200510038851.6

申请日：2005-04-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 彭茹雯 ,  王展 ,  唐朝晖 ,  黄秀清 ,  王牧 ,  林涛 ,  胡安 ,  蒋树声 ,  冯端

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/293 ,  G02F1/365 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法，该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术，在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料，其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜，第二、四、六层为Si膜或SiO2膜，用该技术制备时膜厚控制精确，而且材料中间不存在空气间隙层，该材料结构稳定，而且容易控制，并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带，在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能，得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米，与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。

公开(公告)号：CN1707295A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510038851.6

申请日：2005-04-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 彭茹雯 ,  王展 ,  唐朝晖 ,  黄秀清 ,  王牧 ,  林涛 ,  胡安 ,  蒋树声 ,  冯端

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/293 ,  G02F1/365 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法，该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术，在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料，其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜，第二、四、六层为Si膜或SiO2膜，用该技术制备时膜厚控制精确，而且材料中间不存在空气间隙层，该材料结构稳定，而且容易控制，并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带，在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能，得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米，与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77％和0.00％。