公开(公告)号：CN107065058A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710266022.6

申请日：2017-04-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  陈九果

IPC: G02B5/30

CPC classification number: G02B5/3033

Abstract: 本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料具体为：在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列，纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行，当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15‑25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面，本发明通过分子束外延的方法，获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料，这种材料可用作宽频的太赫兹和红外偏振器，并可与基于III－V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。

公开(公告)号：CN107065058B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201710266022.6

申请日：2017-04-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  陈九果

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料具体为：在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列，纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行，当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15‑25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面。本发明通过分子束外延的方法，获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料，这种材料可用作宽频的太赫兹和红外偏振器，并可与基于III－V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。