公开(公告)号：CN113654995B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202110774099.0

申请日：2021-07-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 周林 ,  傅涵堉 ,  陈舒颖 ,  陈鑫杰 ,  朱嘉

IPC: G01N21/21

Abstract: 本发明公开了一种封装条件下测量椭圆偏振光谱的方法，测量探测器宽度δ、光束直径d、封装层的非精确折射率n、入射角α，取δ和d的较大值max{d,δ}＝w，计算封装层厚度的最小值；测量封装层上表面椭圆偏振光谱，从椭圆偏振仪采集反射光的p偏振分量与s偏振分量的比值ρ，计算封装层的介电函数εs；测量封装衬底的折射角β，计算封装衬底与所测材料之间的空气层参数T和封装条件下单层体相材料的介电函数εm。本发明不需要预先获知封装层的介电性质，避免了对封装层的介电性质进行多参数拟合的困难，完全排除封装层引入的误差，适用于不同基片封装、真空盒封装、液相封装等各类封装条件下的椭圆偏振光谱测试，具有一定的普适性。

公开(公告)号：CN116183517A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310272905.3

申请日：2023-03-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 周林 ,  杨程文 ,  陈舒颖

IPC: G01N21/21 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明涉及一种椭圆偏振光谱下的封装方法及金属介电函数测量方法，采用封装材料对待测材料进行封装，封装层厚度关系式一、关系式二、关系式三获取z2与z1、z3光斑区域分离的最小d值，根据最小d值进行封装可增强探测器检测数据的准确性，然后结合误差允许范围获得最终封装厚度，提升金属介电函数的精确度。

公开(公告)号：CN118111581A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410029519.6

申请日：2024-01-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 周林 ,  陈舒颖 ,  杨宇涵 ,  朱嘉

IPC: G01K11/00 ,  G01K11/125 ,  G01K11/20

Abstract: 本发明涉及一种碱金属温度传感器件、测温方法及制备方法，温度传感器件包括基底和碱金属纳米柱，碱金属纳米柱以阵列分布在基底上或单个纳米柱设置在基底上；光线入射在所述碱金属纳米阵列或单个碱金属纳米柱上时，反射光谱或/和吸收光谱随所述碱金属纳米阵列温度的变化而变化。该温度传感器件对温度反应灵敏，可通过实时观测反射光谱变化即可获得温度的变化。

公开(公告)号：CN113654995A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110774099.0

申请日：2021-07-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 周林 ,  傅涵堉 ,  陈舒颖 ,  陈鑫杰 ,  朱嘉

IPC: G01N21/21

Abstract: 本发明公开了一种封装条件下测量椭圆偏振光谱的方法，测量探测器宽度δ、光束直径d、封装层的非精确折射率n、入射角α，取δ和d的较大值max{d,δ}＝w，计算封装层厚度的最小值；测量封装层上表面椭圆偏振光谱，从椭圆偏振仪采集反射光的p偏振分量与s偏振分量的比值ρ，计算封装层的介电函数εs；测量封装衬底的折射角β，计算封装衬底与所测材料之间的空气层参数T和封装条件下单层体相材料的介电函数εm。本发明不需要预先获知封装层的介电性质，避免了对封装层的介电性质进行多参数拟合的困难，完全排除封装层引入的误差，适用于不同基片封装、真空盒封装、液相封装等各类封装条件下的椭圆偏振光谱测试，具有一定的普适性。