-
公开(公告)号：CN101777615B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010018325.4
申请日：2010-01-13
Applicant: 南京大学 , 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。
-
公开(公告)号：CN101777615A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010018325.4
申请日：2010-01-13
Applicant: 南京大学 , 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。
-
公开(公告)号：CN119916617A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510295121.1
申请日：2025-03-13
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/137 , G02F1/1337 , G02B27/28
Abstract: 本发明公开了一种温度控制的涡旋光束比较器及其制备方法和实施装置，该涡旋光束比较器的第一取向层和第二取向层具有分子指向矢呈周期性渐变分布的控制图形，控制图形形成多个辐条形状的区域，各区域的辐条延长线交汇于同一点，沿垂直于辐条的方向，胆甾相液晶层中的液晶分子的指向矢呈0°‑180°周期性渐变分布，以形成基于胆甾相液晶的展曲渐变光栅；在胆甾相液晶层中，第一手性剂的质量大于第二手性剂的质量，第一手性剂对温度的敏感程度大于第二手性剂对温度的敏感程度，使得第一手性剂对胆甾相液晶的结构起主导作用，第二手性剂对胆甾相液晶的结构起辅助作用。可以提高涡旋光束处理的器件集成度和比较操作的效率，扩展处理波段的调控能力。
-
公开(公告)号：CN119846875A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510266726.8
申请日：2025-03-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种可调液晶光学微分器、制备方法及动态边缘成像装置，控制图案沿第一方向服从第一反正弦函数从‑3π/8到π/8渐变，沿第二方向相同；铁电液晶分子在无外加电场环境下构成层状螺旋结构，层状螺旋结构的螺旋轴平行于第一基板所在平面，铁电液晶层的等效光轴与层状螺旋结构的螺旋轴重合；在无外加电场环境下，铁电液晶分子依照取向层的控制图案排列；在第一透明电极层和第二透明电极层之间施加垂直于第一基板且电压值大于或等于阈值电压的外电场情况下，层状螺旋结构发生解旋，等效光轴同步旋转。本发明具有电控可调光轴，通过改变外加电场极性可以实现明场成像和边缘成像的高速切换，提高了光学微分器的灵活性，助力动态成像。
-
公开(公告)号：CN119510788A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411669455.2
申请日：2024-11-21
Applicant: 南京大学盐城环保技术与工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种气态汞海气通量连续自动监测装置及其方法，涉及海气通量测量领域，通过监测装置运行测得气态汞海气通量相关数据；所述相关数据具体包括表层海水温度、样本水体体积、吹扫气体中气态汞浓度、外部环境大气中气态汞浓度；通过测得相关数据，并运用薄膜气体交换模型对气态汞海气通量进行计算，获得结果。本发明监测方法无需手动操作，操作难度大大降低，对人员的操作要求低，能够在短时间内进行快速且连续的计算。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118550131A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410665443.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/141 , G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/133
Abstract: 本发明公开了一种动态边缘检测器件及其制备方法、动态边缘检测装置。动态边缘检测器件包括相对设置的第一基板、第二基板及铁电液晶层；第一基板的一侧设置有第一透明电极层，第二基板的一侧设置有第二透明电极层；第一基板朝向第二基板的一侧设置有取向层；铁电液晶层包括构成层状螺旋结构的铁电液晶分子，光轴呈现环形渐变排列、角向分布；在施加垂直于第一基板且电压大于或等于阈值电压的外电场情况下，铁电液晶层的螺旋结构发生解旋。本发明提供的动态边缘检测器件具有电控可调光轴，线偏振光入射时可以通过改变外加电场极性实现出射矢量偏振旋转，从而实现正交维度的边缘切换，高速、高效地实现任意方向的一维光学图像边缘检测。
-
公开(公告)号：CN112239889B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202011129343.X
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化物气相外延生长系统的气路系统，包括第一HCl导管，N2导管和NH3导管，第一HCl导管通到镓舟处，还包括第二HCl导管，通到接近镓舟区域出口处的位置。并公开了含有该气路系统的卤化物气相外延生长系统，以及减缓卤化物气相外延生长系统中管壁沉积氮化镓的方法。在镓舟区域增加一路HCl到接近出口处，与低温区反应后的GaCl混合，再进行输运，该HCl与GaCl混合气体通过出口处的石英管时，HCl会与管壁上预反应沉积的GaN发生腐蚀反应，减缓管壁沉积，从而不会因管内径缩小导致生长速率和均匀性大幅下降。腐蚀反应生成产物为GaCl，也会提高输运到衬底上方的反应物浓度，保持衬底上GaN生长的长时间高稳定速率，并且提高镓利用率。
-
公开(公告)号：CN115685566A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211259060.6
申请日：2022-10-14
Applicant: 南京大学
IPC: G02B27/09 , G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种产生环形结构光的装置及其制备方法，该装置包括依次设置的氦氖激光器、偏振片、液晶盒、LED紫外光源和CCD；所述液晶盒包括表面涂覆有取向膜的两层基板，间隔粒子和液晶层，所述间隔粒子放置在两层取向膜相对的基板间，形成填充空间用于注入液晶层；所述环形结构光的产生方法包括可重构液晶超结构体系的制备、光路搭建、环形结构光的获取三个部分。本发明利用液晶材料实现了环形结构光的产生，该种通过可重构液晶超结构体系实现振幅型结构光产生的方法具有简单快捷、灵活可靠、成本低廉、可重构便集成等优点。
-
公开(公告)号：CN114156347A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111608967.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高耐压和低导通的横向结构功率肖特基二极管器件，其特征在于其结构自下而上依次包括：具有渐变势垒的器件外延结构，在渐变势垒内形成从高到低指向衬底的极化电场；所述器件外延结构顶部设有深度渐变的阳极凹槽结构，阳极凹槽的底部在沟道层，还包括阳极电极，所述阳极电极覆盖所述阳极凹槽。本发明充分利用了沟道的高电导特性和维持势垒阻挡层，将集中分布在阳极边缘的电场分散抵消或减弱，实现最大程度的器件高耐压和低导通。
-
公开(公告)号：CN111554733B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010395256.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种提高功率肖特基二极管反向耐压的器件外延结构，包括基于Si或蓝宝石衬底外延的包含顶部器件沟道层的多层氮化物半导体薄层结构，在器件缓冲层内生长多个横向高势垒插入层，形成符合缓冲层，并公开了其制备方法。本发明采用采用多层高势垒插入结构，每一个高势垒插入层都是阻挡势垒电场向器件内部扩散的阻挡层，实现最大程度的器件耐压。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
151
records
(took 0.035 seconds)
