公开(公告)号：CN112835262A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110003399.9

申请日：2021-01-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 马超群 ,  陈伟 ,  刘袁 ,  张旺 ,  崔国新 ,  陆延青

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/40 ,  C30B33/04

Abstract: 本发明提供一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法，所述制备方法通过依次在掺镁铌酸锂晶体表面进行第一次涂覆光刻胶、光刻与显影、镀膜、剥离光刻胶、第二次涂覆光刻胶和加压极化制备金属电极图案，实现制备掺镁铌酸锂晶体畴结构，通过两次涂覆光刻胶和加压极化的制备方法，能够在较大厚度的掺镁铌酸锂表面得到任意的、均匀的、贯穿的、稳定存在的畴结构，成品率高，所述制备方法简单，且操作安全。

公开(公告)号：CN112835262B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202110003399.9

申请日：2021-01-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 马超群 ,  陈伟 ,  刘袁 ,  张旺 ,  崔国新 ,  陆延青

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/40 ,  C30B33/04

Abstract: 本发明提供一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法，所述制备方法通过依次在掺镁铌酸锂晶体表面进行第一次涂覆光刻胶、光刻与显影、镀膜、剥离光刻胶、第二次涂覆光刻胶和加压极化制备金属电极图案，实现制备掺镁铌酸锂晶体畴结构，通过两次涂覆光刻胶和加压极化的制备方法，能够在较大厚度的掺镁铌酸锂表面得到任意的、均匀的、贯穿的、稳定存在的畴结构，成品率高，所述制备方法简单，且操作安全。