奥氏体金属低温超饱和气体渗碳表面强化试验装置

    公开(公告)号:CN103323355B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310220300.6

    申请日:2013-05-31

    IPC分类号: G01N3/40 G01N5/02 G01N21/84

    摘要: 本发明涉及一种试验装置,尤其涉及一种针对奥氏体金属低温超饱和气体渗碳表面强化试验装置,包括渗碳前奥氏体金属的表面活化预处理以及低温气体渗碳处理。该装置由支撑平台、温度测定和控制系统、密封系统、多气氛混合系统和真空系统组成。本发明针对奥氏体金属多气氛低温超饱和气体渗碳表面强化技术,提供了一种温度场均匀、精度高、操作简便、成本低,并且能够实现连续、均匀渗碳的试验装置。

    奥氏体金属低温超饱和气体渗碳表面强化试验装置

    公开(公告)号:CN103323355A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310220300.6

    申请日:2013-05-31

    IPC分类号: G01N3/40 G01N5/02 G01N21/84

    摘要: 本发明涉及一种试验装置,尤其涉及一种针对奥氏体金属低温超饱和气体渗碳表面强化试验装置,包括渗碳前奥氏体金属的表面活化预处理以及低温气体渗碳处理。该装置由支撑平台、温度测定和控制系统、密封系统、多气氛混合系统和真空系统组成。本发明针对奥氏体金属多气氛低温超饱和气体渗碳表面强化技术,提供了一种温度场均匀、精度高、操作简便、成本低,并且能够实现连续、均匀渗碳的试验装置。