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公开(公告)号：CN119026550B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411086518.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开一种基于C3Al异质结的整流二极管及其设计方法，属于纳电子技术领域；一种基于C3Al异质结的整流二极管的设计方法包括：将C3Al纳米带裁剪为三种边缘形态；对所述三种边缘形态的C3Al纳米带计算能带结构图；使用所述三种边缘形态的C3Al纳米带来分别搭建异质结器件；计算所述异质结器件在不同电压下的电流值；利用器件的电流值设计整流二极管；基于不同边缘的C3Al纳米带搭建的异质结器件中出现负微分电阻效应和整流现象，大大丰富了C3Al纳米带在电子器件领域的应用。
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公开(公告)号：CN119380864A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411408153.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硼磷掺杂下SiC7纳米带的自旋热电转换与自旋过滤电子器件的设计方法，包括以下步骤：(1)利用软件Device Studio搭建不同纳米带宽的单氢原子终端SiC7纳米带一维原胞；(2)利用DS‑PAW软件对SiC7纳米带一维原胞进行几何结构的优化；(3)使用软件Nanodcal计算SiC7纳米带一维原胞的电子性质；(4)用纳米带宽为9的SiC7纳米带搭建由左电极‑中心散射区‑右电极三部分构成的纳米电子器件；(5)对(4)中的纳米电子器件进行三种方式的原子替换掺杂；(6)计算并分析上述四种纳米电子器件的透射谱，计算对比四种纳米带器件的实空间散射态，得到不同掺杂情况对纳米带自旋电子透射情况的影响；(7)将在上边缘掺杂BP原子且在下边缘掺杂B原子的SiC7纳米带在铁磁态下设计成为热电转换器件；(8)改变上下边缘同时掺杂的SiC7纳米带的磁态，计算反铁磁态下的透射谱与自旋极化电流，设计成自旋过器件；本发明扩展了SiC7材料在自旋电子学中的应用空间。
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公开(公告)号：CN119026550A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411086518.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 南京林业大学
Abstract: 本发明公开一种基于C3Al异质结的整流二极管及其设计方法，属于纳电子技术领域；一种基于C3Al异质结的整流二极管的设计方法包括：将C3Al纳米带裁剪为三种边缘形态；对所述三种边缘形态的C3Al纳米带计算能带结构图；使用所述三种边缘形态的C3Al纳米带来分别搭建异质结器件；计算所述异质结器件在不同电压下的电流值；利用器件的电流值设计整流二极管；基于不同边缘的C3Al纳米带搭建的异质结器件中出现负微分电阻效应和整流现象，大大丰富了C3Al纳米带在电子器件领域的应用。
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