公开(公告)号：CN114236681B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202111610318.8

申请日：2021-12-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 俞叶峰 ,  夏寒 ,  丁继根 ,  李猛猛

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种片上一维会聚透镜器件及其制备方法，由介质纳米柱天线单元排列构成一维会聚透镜，一维会聚透镜与硅纳米波导之间由二氧化硅层填充。单个介质纳米柱天线单元置于距硅纳米波导表面200nm处，并用时域有限差分法进行数值仿真，得到介质纳米柱天线单元的归一化散射强度；调整介质纳米柱天线单元的几何尺寸使归一化散射强度达到最大，得到优化后的介质纳米柱天线单元，根据相位条件进行排列构成一维会聚透镜；对介质纳米柱天线单元尺寸参数与归一化散射强度关系进行验证，根据不同尺寸结构一维会聚透镜的聚焦角度与聚焦效率，得到最优尺寸的介质纳米柱天线单元。本发明能够应用于集成硅光子芯片的低损耗、高效率检测。

公开(公告)号：CN114236681A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111610318.8

申请日：2021-12-27

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 俞叶峰 ,  夏寒 ,  丁继根 ,  李猛猛

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/124 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种片上一维会聚透镜器件及其制备方法，由介质纳米柱天线单元排列构成一维会聚透镜，一维会聚透镜与硅纳米波导之间由二氧化硅层填充。单个介质纳米柱天线单元置于距硅纳米波导表面200nm处，并用时域有限差分法进行数值仿真，得到介质纳米柱天线单元的归一化散射强度；调整介质纳米柱天线单元的几何尺寸使归一化散射强度达到最大，得到优化后的介质纳米柱天线单元，根据相位条件进行排列构成一维会聚透镜；对介质纳米柱天线单元尺寸参数与归一化散射强度关系进行验证，根据不同尺寸结构一维会聚透镜的聚焦角度与聚焦效率，得到最优尺寸的介质纳米柱天线单元。本发明能够应用于集成硅光子芯片的低损耗、高效率检测。