公开(公告)号：CN117473926A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311383172.7

申请日：2023-10-24

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 俞叶峰 ,  高成 ,  肖亦可 ,  孙伟玲

IPC: G06F30/36

Abstract: 本发明公开了一种单极性纳米流体忆阻器模型的构建方法，该方法包括构建电流‑电压方程，电流‑电压方程由状态变量与最大电流项构成，用于描述忆阻器的电流与状态变量和施加电压之积成正比；构建状态变量方程：状态变量方程由幅值增长项与窗口函数构成，用于描述状态变量变化速度正比于状态变量与施加电压平方之积。本发明结构简单，可以描述连续型忆阻器，窗口函数灵活、适应性强。

公开(公告)号：CN119546175A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411568385.1

申请日：2024-11-05

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 俞叶峰 ,  包宇坤 ,  肖亦可 ,  孙伟玲 ,  宋建超 ,  周亚晖

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于AAO薄膜的纳米流体忆阻器及其制备方法，具体为：玻璃衬底上设置第一铜电极，第一铜电极上设置PDMS储液池，PDMS储液池内部设置AAO薄膜和CuSO4电解液，PDMS储液池顶部设置第二铜电极。制备方法为：在玻璃衬底中央位置放置第一铜电极，将胶状PDMS滴涂至第一铜电极前端；利用打孔器在固化的PDMS层上进行打孔，得到PDMS储液池；将AAO薄膜转移至PDMS储液池内，使其下表面贴合第一铜电极前端，并在PDMS储液池中加注满CuSO4电解液；在PDMS储液池上端放置第二铜电极，利用PDMS对PDMS储液池进行覆盖密封。本发明中的忆阻器具有工作电压小、功耗低、制备简单、稳定性好的优点。

公开(公告)号：CN119136648A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411166085.0

申请日：2024-08-23

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 俞叶峰 ,  孙伟玲 ,  肖亦可 ,  王琪

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于PDMS纳米通道的流体忆阻器及其制备方法，该流体忆阻器包括PDMS基底、顶盖玻璃、储液池、电极，其中所述PDMS基底上有多纳米通道阵列，玻璃上的储液池通过多条纳米通道相连通，电极放置在储液池中，在储液池中注入液体。制备方法为：首先采用基于裂纹的无光刻方法制备聚苯乙烯纳米通道模板；然后通过Smooth‑on 305塑料模板将纳米通道图案复制在PDMS上，得到PDMS纳米通道；利用激光切割技术在玻璃上打两个小孔，作为器件的储液池；最后将加工好纳米通道的PDMS基底与玻璃封装，得到基于PDMS纳米通道的流体忆阻器。本发明流体忆阻器具有制备简单、稳定性好、功耗低的优势。

公开(公告)号：CN113540457A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110653866.2

申请日：2021-06-11

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 林若浩 ,  俞渊 ,  孙伟玲 ,  徐璟

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种石墨烯复合非晶金属基硫化物电极材料及其制备方法。包括溶剂热法制备、离心提纯、冷冻干燥。本发明采用具有高理论容量和低成本优势的锡或锑基合金化反应材料，并且采用低温溶剂热法和加入异质元素以获得非晶三元硫化物材料，因此能极大改善合金化材料在反应过程中带来的体积膨胀问题，从而改善电化学性能。