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公开(公告)号：CN109449014B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201811222124.9
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及高功率脉冲应用领域，具体涉及一种耐烧蚀平面三电极高压开关及其制备方法。高压开关包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；耐烧蚀层：设置在三电极层之上，分为三部分，分别与三电极层的阳极、阴极和触发极的形状相匹配，在阳极、阴极和触发极的后端部预留焊盘区，覆盖阳极、阴极和触发极的前端。本申请通过在三电极层的表面沉积耐烧蚀层，使平面三电极高压开关可以多次重复性使用，提高了使用寿命。本申请采用微机电系统工艺制备高压开关，提高了产品的一致性，可以实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN110132075A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810133178.1
申请日：2018-02-09
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开了一种含有含能飞片的爆炸箔集成芯片，爆炸箔集成芯片包括基片、爆炸箔、含能飞片、加速膛和药剂。焊盘、过渡区和爆炸桥箔均设置在基片，且通过过渡区将焊盘和爆炸桥箔连接；基片在集成芯片中作反射背板，使爆炸桥箔电爆所产生的等离子体向上运动剪切聚合物飞片以及推动沉积在聚合物飞片表面含能薄膜运动；本发明与现有技术相比，通过制备过程采用MEMS工艺，爆炸箔起爆系统的集成化程度更高、体积更小，提高了产品的一致性、降低了制备成本；含采用能飞片本身含有金属，不需要额外沉积金属，有利于飞片速度的测试；采用含能飞片层，冲击与热的耦合作用可以增强点火或起爆效应，大幅降低了爆炸箔起爆系统的发火能量。
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公开(公告)号：CN109802302A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910041889.0
申请日：2019-01-15
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及高功率脉冲技术领域，具体涉及一种基于LTCC工艺的密闭式平面三电极开关芯片。所述开关芯片的三个电极被密闭在一个空腔内，具体包括：基底层：所述基底层作为平面三电极开关芯片的载体结构；金属层：置于基底层之上，包括开关芯片的阴极、触发极和阳极，和与开关的阴极、触发极和阳极相连的焊盘；结构层A：置于金属层之上，包括电极空腔及裸露焊盘的焊盘槽；结构层B：置于结构层A之上，包括电极空腔的上盖，和裸露焊盘的焊盘槽。本发明采用LTCC工艺能将开关的三个电极密封在空腔内，使得开关的导通能力增强，开关作用的稳定性增加；另外采用LTCC工艺能使得开关一体化烧结制造，实现批量生产，提高产品的一致性，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109612342A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811510598.3
申请日：2018-12-11
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及微型低能点火和起爆技术领域，涉及一种基于并联桥箔的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。包括：基片；金属层：置于基片之上，包括位于两端较宽的焊盘，位于中间位置较窄的并联桥箔，以及连接焊盘和并联桥箔的过渡区；所述并联桥箔由多个条状结构并联形成；飞片层：置于金属层的并联桥箔和部分过渡区之上；加速膛：置于飞片层之上，位于桥箔正上方，为中空圆柱；药柱：置于加速膛正上方。本申请采用并联的桥箔，并联电爆产生大量蒸汽和等离子体，形成冲击波，冲击波汇聚碰撞，形成的马赫效应提升了桥箔电爆炸输出的压力，增强了桥箔剪切及驱动飞片的能力，提高了飞片速度，增强了McEFI的点火和起爆能力。
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公开(公告)号：CN118721722A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410778900.2
申请日：2024-06-17
申请人： 南京理工大学 , 西安航天动力技术研究所
IPC分类号： B29C64/112 , B29C64/321 , B29C64/343 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y70/00 , B29B7/00 , C09D11/36 , C09D11/38 , C09D11/30 , B29L7/00
摘要： 本发明为一种正交叠层含能薄膜及3D打印成型方法。方法包括如下步骤：(1)以N,N‑二甲基甲酰胺DMF为溶剂，以聚偏氟二烯PVDF和热塑性聚氨酯TPU为分散剂，将三者进行超声混合，搅拌均匀，得到混合液；(2)向混合液中加入纳米铝热剂和纳米钛粉，再进行超声混合搅拌后得到含能墨水；(3)将含能墨水放入针筒内，利用真空泵将塑料薄膜吸附在加热平台上，启动3D打印装置，将含能墨水以正交叠层的方式打印在塑料薄膜上，将含能墨水在45‑55℃下固化形成含能薄膜。本发明方法简单高效，且正交叠层含能薄膜具有性能好、低延迟和能量释放率高等特点，能够扩展铝热剂以及其他含能材料的设计结构，使得含能薄膜能够更好满足固体发动机的多种应用需求。
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公开(公告)号：CN118686710A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410778518.1
申请日：2024-06-17
申请人： 南京理工大学 , 西安航天动力技术研究所
IPC分类号： F02K9/95 , B32B27/28 , B32B27/36 , B32B27/30 , B32B27/08 , B32B15/02 , B32B15/20 , B32B15/08 , B32B15/09 , B32B9/04 , B32B3/08 , B32B7/12
摘要： 本发明属于固体发动机点火技术领域，具体涉及一种柔性含能薄膜平面多点点火装置。包括上下设置的点火单元层和输出单元层；点火单元层包括镂空的聚酰亚胺PI薄膜以及间隔设置在聚酰亚胺PI薄膜上的多个由串联电路连接的半导体桥点火芯片；输出单元层包括PET薄膜以及通过3D打印在PET薄膜上的含能薄膜；设置在聚酰亚胺PI薄膜上的半导体桥点火芯片的主体嵌设在含能薄膜内。本发明相比于BPN燃速提升了十几倍，有助于实现推进剂的快速点火。
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公开(公告)号：CN112923801B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110128531.9
申请日：2021-01-29
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明属于点火和起爆领域，具体涉及一种采用PCB工艺的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。包括如下步骤：(1)制备Cu桥箔层：在一块双面覆铜板的顶层采用内层光刻和内层刻蚀的PCB工艺实现桥箔层的图形化；(2)压合：将双面覆铜板和另一块PCB基板，通过PP片压合成为一体；(3)在PCB基板中制备飞片层、加速膛和药柱室；(4)制备过孔：采用钻孔和镀通孔技术在压合后的基片和基板中制备过孔，实现电路的连接；(5)制备底部焊盘。本发明采用PCB工艺批量制备微芯片爆炸箔起爆器，所得McEFI一致性好、体积小、价格低，并且抗高过载，有利于拓宽EFI的应用范围，使得武器系统都能使用安全可靠的McEFI作为点火器和起爆器。
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公开(公告)号：CN112923801A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110128531.9
申请日：2021-01-29
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明属于点火和起爆领域，具体涉及一种采用PCB工艺的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。包括如下步骤：(1)制备Cu桥箔层：在一块双面覆铜板的顶层采用内层光刻和内层刻蚀的PCB工艺实现桥箔层的图形化；(2)压合：将双面覆铜板和另一块PCB基板，通过PP片压合成为一体；(3)在PCB基板中制备飞片层、加速膛和药柱室；(4)制备过孔：采用钻孔和镀通孔技术在压合后的基片和基板中制备过孔，实现电路的连接；(5)制备底部焊盘。本发明采用PCB工艺批量制备微芯片爆炸箔起爆器，所得McEFI一致性好、体积小、价格低，并且抗高过载，有利于拓宽EFI的应用范围，使得武器系统都能使用安全可靠的McEFI作为点火器和起爆器。
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公开(公告)号：CN109802302B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910041889.0
申请日：2019-01-15
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及高功率脉冲技术领域，具体涉及一种基于LTCC工艺的密闭式平面三电极开关芯片。所述开关芯片的三个电极被密闭在一个空腔内，具体包括：基底层：所述基底层作为平面三电极开关芯片的载体结构；金属层：置于基底层之上，包括开关芯片的阴极、触发极和阳极，和与开关的阴极、触发极和阳极相连的焊盘；结构层A：置于金属层之上，包括电极空腔及裸露焊盘的焊盘槽；结构层B：置于结构层A之上，包括电极空腔的上盖，和裸露焊盘的焊盘槽。本发明采用LTCC工艺能将开关的三个电极密封在空腔内，使得开关的导通能力增强，开关作用的稳定性增加；另外采用LTCC工艺能使得开关一体化烧结制造，实现批量生产，提高产品的一致性，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109297365A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811222125.3
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及炸药起爆技术领域，具体为一种基于LTCC工艺的平面三电极开关和爆炸箔集成芯片。芯片分为三电极开关和爆炸箔两部分，包括：基底层：基底层在开关部分作为载体，在爆炸箔部分作为反射背板；金属层：在开关部分作为阴极、阳极和触发极，在爆炸箔部分作为桥箔、过渡区，金属层还包括焊盘；置于金属层之上的结构层A：作为电极槽、飞片和焊盘槽；结构层B：置于结构层A之上，作为电极槽、加速膛和焊盘槽；结构层C：置于结构层B之上，作为电极槽、装药槽和焊盘槽。本发明利用LTCC工艺使得平面三电极开关和爆炸箔集成芯片可以一体化烧结制造，实现批量生产，提高产品的一致性，并降低生产成本。
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