一种安全气囊用气体发生器销毁装置

    公开(公告)号:CN117548470A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311829870.5

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 本发明公开一种安全气囊用气体发生器连续化销毁装置,包括气体发生器输送装置和燃烧室;根据待销毁安全气囊用气体发生器的类型设置所要使用的喷嘴、气体发生器限位装置、外套;将待销毁安全气囊用气体发生器放进气体发生器输送装置,输送至燃烧室内;所述喷嘴喷火进行销毁,产生气体产物和固体产物实现了销毁过程的连续化、自动化,提高了销毁效率、销毁过程的安全性。

    一种复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜的方法

    公开(公告)号:CN110857214B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN201810961708.1

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜的方法,首先利用液相还原法,制备铜纳米线,将氧化石墨烯在合成铜纳米线的过程中加入,利用水热法,以儿茶酸为还原剂,将制得的铜纳米线/还原氧化石墨烯复合材料制备成电泳液,以石墨为阳极,以硅片为阴极,进行电泳沉积实验,沉积在硅片表面,再进行叠氮化,制得复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜。本发明的制备方法可以有效降低外力对反应产物的影响,提高安全与可靠性。以叠氮化钠和硝酸为反应物,采用的装置简单,叠氮化效率更高。利用碳材料减少静电电荷在复合材料上的积累,从而达到降低叠氮化铜静电感度的目的,同时不影响其优异的起爆性能。

    基于多孔硅复合含能薄膜-含能半导体桥双元结构的自毁芯片

    公开(公告)号:CN115329398A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210452159.1

    申请日:2022-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种利用多孔硅复合含能薄膜‑含能半导体桥双元结构的自毁芯片的结构装置,包括含能半导体桥、多孔硅复合含能薄膜毁伤区、功能芯片。其中含能半导体桥部分包括硅基底、SiO2绝缘层、重掺杂多晶硅半导体桥、金薄膜、复合含能薄膜。金薄膜作为引线连接恒压源和多晶硅点火桥,当通以适当电压时,重掺杂多晶硅半导体桥发生电爆激发上层复合含能膜;多孔硅复合含能薄膜毁伤区包括单晶硅片基底、金属桥箔、多孔硅复合含能薄膜。下层的含能半导体桥同上层的多孔硅复合含能薄膜同时发生作用,多孔硅复合含能薄膜使整个结构的能量进一步增大,达到可靠毁伤最上层功能芯片的目的。该装置结构简单,制备工艺方便,能够达到自毁功能芯片的作用。

    ZIF-67/GO复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109962218B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN201711425422.3

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种ZIF‑67/GO复合材料的制备方法。所述方法首先配制Co(NO3)2‘6H2O的甲醇溶液和2‑甲基咪唑甲醇溶液,再将氧化石墨烯分散溶液依次浸渍在Co(NO3)2‘6H2O与2‑甲基咪唑甲醇溶液中,室温下搅拌,离心,循环交替浸渍2~3次,然后将产物超声分散于甲醇中,与Co(NO3)2‘6H2O的甲醇溶液同时加入到2‑甲基咪唑的甲醇溶液中,将紫红色悬浊液离心,得到ZIF‑67/GO复合材料。本发明采用室温搅拌合成法,操作简便,制得的ZIF‑67/GO复合材料避免了纳米颗粒的团聚,纳米粒子ZIF‑67粒径均一,并均匀地负载在氧化石墨烯积表面,提高了复合材料的导电性和电荷传输能力。

    集成单触发开关的爆炸箔超压芯片及其起爆装置

    公开(公告)号:CN110411285B

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN201910654279.8

    申请日:2019-07-19

    Abstract: 本发明属于起爆领域,特别是一种集成单触发开关的爆炸箔超压芯片及其起爆装置。包括集成在同一个陶瓷基底上的单触发开关单元和爆炸箔超压芯片单元,所述爆炸箔超压芯片单元包括爆炸箔阵列区,所述爆炸箔阵列区由多个爆炸箔串联之后并联形成。本发明芯片内采用多个爆炸箔并联的方式,利用多个爆炸箔分别驱动多个飞片冲击起爆多个HNS炸药柱,利用HNS炸药产生的爆轰波相互碰撞、形成马赫反射,产生超压爆轰,超过钝感炸药的临界起爆压力,从而可以取消传爆、扩爆序列直接起爆钝感炸药。且芯片内的开关采用单触发开关,将开关的低压触发回路和爆炸箔超压芯片的高压主回路分开,从而降低了主回路的起爆能量。

    一种基于被动式微混合器的纳米炸药制备系统及方法

    公开(公告)号:CN110330393B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201910644088.3

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 本发明属于含能材料领域,特别是一种基于被动式微混合器的纳米炸药制备系统及方法。包括:依次设置的流体驱动单元、重结晶单元和样品收集单元,重结晶单元包括被动式微混合器和温度控制装置;所述流体驱动单元:为溶剂和非溶剂提供流动驱动力;所述被动式微混合器:通过微混合结构实现溶剂和非溶剂的混合;所述温度控制装置:用于控制纳米炸药制备过程中的温度;所述样品收集单元:用于收集制备的炸药悬浮液。被动式混合器的混合强度可以通过调节微混合通道的结构和长度进行控制,能够适用于更多炸药的粒径可控制备。由于溶剂与非溶剂在重结晶单元的滞留时间短,所制备纳米炸药的粒径分布较窄且晶体形貌均匀,具有优良的物理化学和爆炸性能。

    一种基于嵌段流的炸药重结晶系统和方法

    公开(公告)号:CN112441862A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201910803999.6

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明涉及一种基于嵌段流的炸药重结晶系统及方法。系统包括:用于驱动连续相液体、溶剂和非溶剂溶液的流体驱动单元;重结晶单元,包括温度控制装置和双“T”型连接器,流体驱动单元驱动连续相液体通过管道流向“T”型连接器一完成对非溶剂溶液的剪切,同时驱动溶剂溶液通过软管流向“T”型连接器二,经“T”型连接器一剪切后的液滴在“T”型连接器二处与溶剂溶液相接触生成悬浮液;样品收集单元,用于收集炸药悬浮液。本发明基于嵌段流在完成炸药重结晶的同时实现了炸药颗粒的稳定生长,不同于纳米炸药的重结晶,利用嵌段流对炸药进行重结晶,所得到的炸药可实现粒径从纳米至微米的跨越,粒径分布相对集中。

    一种空气炮弹载加速度数据采集系统及采集方法

    公开(公告)号:CN111444121A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201910040418.8

    申请日:2019-01-16

    Abstract: 本发明属于弹载数据记录领域,具体涉及一种空气炮弹载加速度数据采集系统及采集方法。系统包括:采集与存储模块:用于采集弹上加速度传感器的加速度数据,将采集的加速度数据转换为数字信号,并将转换得到的数字信号进行存储;触发模块:用于控制采集与存储模块进行数据存储;控制模块:用于数据传输,采集与存储模块的时序控制;通信模块:用于烧写程序和串口通信;电源模块:用于将外部电源输入进行降压稳压操作,为采集系统的其他各模块提供所需的工作电压。本发明在采集与存储模块利用异步fifo高速存储器作为存储芯片,满足了模数转换器对储存速率的要求,实验结束后可对数据进行读取的效果,极大方便了数据的读取。

    一种光纤自消耗式激光微推进系统

    公开(公告)号:CN111120233A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911256951.4

    申请日:2019-12-10

    Abstract: 本发明属于激光推进领域,具体涉及一种光纤自消耗式激光微推进系统。包括依次连接的控制单元,激光器,聚焦透镜和光纤;光纤末端设有推进物质层,聚焦透镜将激光器发出的激光聚焦传输至光纤输入端,光纤将激光传输至末端的推进物质层,使推进物质电离,产生电离层,进而产生反方向的推力作用。本发明的系统以传能光纤本身作为工质,无需单独准备推进物质,光纤传能既方便了激光的传输,又利于系统布局。

    一种复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜的方法

    公开(公告)号:CN110857214A

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201810961708.1

    申请日:2018-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜的方法,首先利用液相还原法,制备铜纳米线,将氧化石墨烯在合成铜纳米线的过程中加入,利用水热法,以儿茶酸为还原剂,将制得的铜纳米线/还原氧化石墨烯复合材料制备成电泳液,以石墨为阳极,以硅片为阴极,进行电泳沉积实验,沉积在硅片表面,再进行叠氮化,制得复合rGO与铜纳米线制备低感度叠氮化铜。本发明的制备方法可以有效降低外力对反应产物的影响,提高安全与可靠性。以叠氮化钠和硝酸为反应物,采用的装置简单,叠氮化效率更高。利用碳材料减少静电电荷在复合材料上的积累,从而达到降低叠氮化铜静电感度的目的,同时不影响其优异的起爆性能。

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