公开(公告)号：CN106252071A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610640912.4

申请日：2016-08-05

申请人： 南京理工大学

发明人： 宋晔 ,  邢季 ,  范昊雯 ,  廖茂颖 ,  张伟康 ,  朱绪飞

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  C25D11/26 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01G4/06 ,  B82Y40/00 ,  C25D11/26 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10

摘要： 本发明公开了一种高比容量纳米电介质电容器及其制备方法，本发明利用PAA模板的有序纳米孔洞阵列，通过真空熔融热压法在铝片表面得到相应的铝质纳米圆柱阵列，然后通过利用氧化法在铝质纳米圆柱阵列表面形成一层氧化铝电介质膜，最后在氧化铝电介质膜上覆盖一层导电高分子薄膜作为对电极，从而形成导体/电介质/导体的纳米电容器结构。本发明的方法容易实现电极纳米结构的保形性，能够使电介质电容器的比容量大幅提高。

公开(公告)号：CN106252071B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201610640912.4

申请日：2016-08-05

申请人： 南京理工大学

发明人： 宋晔 ,  邢季 ,  范昊雯 ,  廖茂颖 ,  张伟康 ,  朱绪飞

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  C25D11/26 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种高比容量纳米电介质电容器及其制备方法，本发明利用PAA模板的有序纳米孔洞阵列，通过真空熔融热压法在铝片表面得到相应的铝质纳米圆柱阵列，然后通过利用氧化法在铝质纳米圆柱阵列表面形成一层氧化铝电介质膜，最后在氧化铝电介质膜上覆盖一层导电高分子薄膜作为对电极，从而形成导体/电介质/导体的纳米电容器结构。本发明的方法容易实现电极纳米结构的保形性，能够使电介质电容器的比容量大幅提高。