一种神经状碳二氮材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114162792B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202010952065.1

    申请日:2020-09-11

    IPC分类号: C01B21/082

    摘要: 本发明公开了一种神经状碳二氮材料及其制备方法。所述的神经状碳二氮材料在微观上具有类神经结构,其中,类神经结构的长度范围为1500nm‑3500nm,宽度范围为1000nm‑2500nm。类神经结构中单个类神经元的类细胞体的长度范围为150nm‑350nm,宽度范围为100nm‑250nm,在单个类神经元中,类树突结构长度范围为100nm‑250nm,类轴突结构长度范围为300nm‑550nm。这种神经状碳二氮材料有着多孔、比表面积大,活性位点多以及结构稳定的特性。

    中空介孔碳球负载氢氧化镍/硫复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN112447955B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN201910836251.6

    申请日:2019-09-05

    摘要: 本发明公开了一种中空介孔碳球负载氢氧化镍/硫复合材料的制备方法。所述方法先将中空介孔碳球充分分散于水中,再依次加入硫酸镍和过硫酸钾水溶液,并缓慢加入氨水,得到中空介孔碳球负载氢氧化镍复合材料,然后将中空介孔碳球负载氢氧化镍复合材料和硫混合,在150~155℃下进行热熔融挥硫反应,得到中空介孔碳球负载氢氧化镍/硫复合材料。本发明采用的中空介孔碳球具有较大的比表面,可以防止体积膨胀效应和提高活性物质载量,抑制多硫化物的溶解,另一方面,中空介孔碳球负载的片层氢氧化镍具有超薄的结构,可以提供更多的活性位点和强有力的化学吸附多硫化物,从而达到抑制穿梭效应,制备的电池具有高容量、倍率性好且循环寿命长的优点。

    中空介孔碳球负载氢氧化镍/硫复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN112447955A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201910836251.6

    申请日:2019-09-05

    摘要: 本发明公开了一种中空介孔碳球负载氢氧化镍/硫复合材料的制备方法。所述方法先将中空介孔碳球充分分散于水中,再依次加入硫酸镍和过硫酸钾水溶液,并缓慢加入氨水,得到中空介孔碳球负载氢氧化镍复合材料,然后将中空介孔碳球负载氢氧化镍复合材料和硫混合,在150~155℃下进行热熔融挥硫反应,得到中空介孔碳球负载氢氧化镍/硫复合材料。本发明采用的中空介孔碳球具有较大的比表面,可以防止体积膨胀效应和提高活性物质载量,抑制多硫化物的溶解,另一方面,中空介孔碳球负载的片层氢氧化镍具有超薄的结构,可以提供更多的活性位点和强有力的化学吸附多硫化物,从而达到抑制穿梭效应,制备的电池具有高容量、倍率性好且循环寿命长的优点。

    一种超薄C2N纳米片的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111483985A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201910709399.3

    申请日:2019-08-02

    摘要: 本发明公开了一种超薄C2N纳米片的制备方法。所述的超薄C2N纳米片的片层厚度约为10 nm,该超薄C2N纳米片以二氧化硅球为模板,通过自下而上的方法制备得到,具体步骤为:将二氧化硅球置于N-甲基吡咯烷酮中超声分散,在氮气保护下搅拌;二者体系混合搅拌均匀后冰浴下加入等摩尔的六氨基苯和环己六酮,继续搅拌;转移至175℃油浴继续搅拌回流;冷却至室温,然后倒入去离子水中沉降,抽滤,洗涤,冷冻干燥,氩气保护下450℃退火;HF刻蚀,洗涤,冷冻干燥,获得超薄C2N纳米片。应用本发明制备的超薄C2N纳米片在能源储存与转换领域有较好的应用前景和经济效益。

    杂原子掺杂多孔石墨烯修饰碳纤维纸及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110729438A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201810785068.3

    申请日:2018-07-17

    IPC分类号: H01M2/16 H01M4/62

    摘要: 本发明公开了一种杂原子掺杂多孔石墨烯修饰碳纤维纸作为锂硫电池隔层的制备方法。采用简单的浸渍加焙烧的方法制备具有自支撑特性的杂原子掺杂多孔石墨烯修饰的碳纤维纸。该碳纤维纸可作为锂硫电池的隔层材料,通过物理束缚和化学吸附的作用可以抑制多硫化物的“穿梭效应”,杂原子的掺杂对多硫化物向硫化锂的转变反应具有一定的催化效应,可以促进多硫化物向硫化锂的转变,从而提高锂硫电池的反应动力学,进而提高锂硫电池的电化学性能。

    一种超薄C2N纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN111483985B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN201910709399.3

    申请日:2019-08-02

    摘要: 本发明公开了一种超薄C2N纳米片的制备方法。所述的超薄C2N纳米片的片层厚度约为10 nm,该超薄C2N纳米片以二氧化硅球为模板,通过自下而上的方法制备得到,具体步骤为:将二氧化硅球置于N‑甲基吡咯烷酮中超声分散,在氮气保护下搅拌;二者体系混合搅拌均匀后冰浴下加入等摩尔的六氨基苯和环己六酮,继续搅拌;转移至175℃油浴继续搅拌回流;冷却至室温,然后倒入去离子水中沉降,抽滤,洗涤,冷冻干燥,氩气保护下450℃退火;HF刻蚀,洗涤,冷冻干燥,获得超薄C2N纳米片。应用本发明制备的超薄C2N纳米片在能源储存与转换领域有较好的应用前景和经济效益。