使用火焰喷涂提高石墨电极抗氧化性能的方法

    公开(公告)号:CN102173877A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110031966.8

    申请日:2011-01-28

    IPC分类号: C04B41/90

    摘要: 本发明公开了一种使用火焰喷涂提高石墨电极抗氧化性能的方法,该方法利用火焰喷涂技术,在石墨电极的表面喷涂三层复合涂层,其主要成分从内而外分别为硅、硼酸铝和金属铝。在石墨电极的高温使用环境下,内层与石墨基体反应紧密结合,中间层隔热保护,最外层不仅表面钝化,还熔融渗透至电极的孔隙,有效隔绝了石墨基体与氧的接触,提升了涂层与基体的结合力。实践表明,利用本方法对石墨电极进行表面处理能够大幅提高电极的抗氧化性能,吨钢电极消耗与未处理过的石墨电极相比降低18%以上。本发明可广泛应用于钢铁冶金行业相关的石墨电极抗氧化技术领域。

    一种自清洁喷涂液制造及使用方法

    公开(公告)号:CN103849261A

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201210514852.3

    申请日:2012-12-05

    摘要: 本发明揭示了一种自清洁喷涂液制造及使用方法,通过水热合成法制备TiO2胶体溶液,将其以一定比例溶入有机溶剂制成自清洁喷涂液。经过简单喷涂或刷涂方式,可快速在玻璃、金属、卫浴陶瓷及墙体表面形成持久的保护涂层,该涂层具有自清洁能力,在太阳光的照射下,有效降解有机物且与水的接触角能达到小于5。,很好地实现防雨雾自清洁等性能。

    可燃易爆压缩气体和液体管道阻燃抑爆装置

    公开(公告)号:CN104455917A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410705868.1

    申请日:2014-11-27

    IPC分类号: F16L57/04

    CPC分类号: F16L57/04

    摘要: 本发明公开了一种可燃易爆压缩气体和液体管道阻燃抑爆装置,包括盘管,外壳和阻火剂,所述盘管设有入口和出口,盘管设置于外壳内,入口和出口伸出外壳,阻火剂填充在外壳内与盘管之间;本发明应用于可燃易爆压缩气体和液体运输管道,当管道发生燃烧爆炸时,由于临界管径与拐角效应的存在,进入盘管中的火焰与冲击波强度会迅速连续衰减,直至消失,达到阻燃抑爆的效果,当装置或盘管受爆炸影响发生破裂,阻火剂能够及时灭火。

    低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102051589B

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201010559109.0

    申请日:2010-11-25

    摘要: 本发明公开了一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法,其工艺如下:根据应用需要选择合适的衬底和靶材,在衬底上生长碳化硅薄膜;将衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔,使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空;对衬底使用加热器加热;在衬底加热的同时辅助添加外部光源,并使外部光源直接照射衬底;使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜,沉积过程通过控制沉积频率控制生长的碳化硅晶型;对衬底进行退火,退火时可用气氛保护。本发明极大地降低碳化硅薄膜的生长温度,制备出包括非晶碳化硅薄膜或者3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC和15R-SiC结构的择优取向的晶体薄膜,在半导体器件制造时可以应用在光电子、微电子领域。

    一种自清洁喷涂液制造及使用方法

    公开(公告)号:CN103849261B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201210514852.3

    申请日:2012-12-05

    摘要: 本发明揭示了一种自清洁喷涂液制造及使用方法,通过水热合成法制备TiO2胶体溶液,将其以一定比例溶入有机溶剂制成自清洁喷涂液。经过简单喷涂或刷涂方式,可快速在玻璃、金属、卫浴陶瓷及墙体表面形成持久的保护涂层,该涂层具有自清洁能力,在太阳光的照射下,有效降解有机物且与水的接触角能达到小于5°,很好地实现防雨雾自清洁等性能。

    低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102051589A

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN201010559109.0

    申请日:2010-11-25

    摘要: 本发明公开了一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法,其工艺如下:根据应用需要选择合适的衬底和靶材,在衬底上生长碳化硅薄膜;将衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔,使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空;对衬底使用加热器加热;在衬底加热的同时辅助添加外部光源,并使外部光源直接照射衬底;使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜,沉积过程通过控制沉积频率控制生长的碳化硅晶型;对衬底进行退火,退火时可用气氛保护。本发明极大地降低碳化硅薄膜的生长温度,制备出包括非晶碳化硅薄膜或者3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC和15R-SiC结构的择优取向的晶体薄膜,在半导体器件制造时可以应用在光电子、微电子领域。

    可燃易爆压缩气体和液体管道阻燃抑爆装置

    公开(公告)号:CN204328344U

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201420736364.1

    申请日:2014-11-27

    IPC分类号: F16L57/04

    摘要: 本实用新型公开了一种可燃易爆压缩气体和液体管道阻燃抑爆装置,包括盘管,外壳和阻火剂,所述盘管设有入口和出口,盘管设置于外壳内,入口和出口伸出外壳,阻火剂填充在外壳内与盘管之间;本实用新型应用于可燃易爆压缩气体和液体运输管道,当管道发生燃烧爆炸时,由于临界管径与拐角效应的存在,进入盘管中的火焰与冲击波强度会迅速连续衰减,直至消失,达到阻燃抑爆的效果,当装置或盘管受爆炸影响发生破裂,阻火剂能够及时灭火。