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发明公开
一种具有强非线性响应的可重构强PUF电路及方法审中-实审

公开(公告)号：CN117935873A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410167728.7

申请日：2024-02-06

申请人： 南京航空航天大学

发明人： 王佑 , 宋达 , 刘伟强

IPC分类号： G11C11/16

摘要： 本发明公开了一种具有强非线性响应的可重构强PUF电路及方法，STT‑MRAM存储单元阵列用于存储数据信息“0”或“1”，奇数阵列访存晶体管对奇数位的STT‑MRAM存储单元进行访存，偶数阵列访存晶体管对偶数位的STT‑MRAM存储单元进行访存；奇数阵列激励选择晶体管用于控制奇数位的STT‑MRAM存储单元的写入信号，偶数阵列激励选择晶体管用于控制偶数位的STT‑MRAM存储单元的写入信号；阵列选择电路ASC从STT‑MRAM存储单元阵列中选择一条奇数行STT‑MRAM存储单元和一条偶数行STT‑MRAM存储单元，输入感测放大电路SA中进行阻值比较，输出比较结果。本发明使得PUF响应拥有很强的非线性，从而显著提高安全性，同时提升PUF在速度、功耗、面积等方面的性能。