公开(公告)号：CN118039432B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410431320.6

申请日：2024-04-11

申请人： 南京航空航天大学

发明人： 汤晓斌 ,  龚频 ,  梁大戬 ,  王鹏 ,  王泽宇 ,  胡志猛 ,  许志恒 ,  李福乐

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J43/18

摘要： 本发明涉及半导体掩膜板技术领域，公开了一种利用单掩膜技术生产半导体掩膜板的方法，方法包括：制备三层结构的板料；以第一层结构的贯穿孔洞作为掩膜对第二层结构进行蚀刻，形成贯穿的单锥形孔洞，第二层结构的上表面形成的孔洞半径为90μm，第二层结构的下表面形成的孔径为45μm，第二层结构的厚度为50μm；其中，对第二层结构进行蚀刻所用的蚀刻液包括氢氧化钾和/或氢氧化钠、乙二胺、乙醇、四乙基氢氧化铵；以第二层结构下表面的孔洞作为掩膜对第三层结构进行蚀刻。本发明采用单掩膜技术进行制备，制备过程简便易操作，不受对准机器限制，能够实现大面积生产，且该方法制备的掩膜板的孔径和孔的形貌可以实现更好的电子放大增益。

公开(公告)号：CN118039432A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410431320.6

申请日：2024-04-11

申请人： 南京航空航天大学

发明人： 汤晓斌 ,  龚频 ,  梁大戬 ,  王鹏 ,  王泽宇 ,  胡志猛 ,  许志恒 ,  李福乐

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J43/18

摘要： 本发明涉及半导体掩膜板技术领域，公开了一种利用单掩膜技术生产半导体掩膜板的方法，方法包括：制备三层结构的板料；以第一层结构的贯穿孔洞作为掩膜对第二层结构进行蚀刻，形成贯穿的单锥形孔洞，第二层结构的上表面形成的孔洞半径为90μm，第二层结构的下表面形成的孔径为45μm，第二层结构的厚度为50μm；其中，对第二层结构进行蚀刻所用的蚀刻液包括氢氧化钾和/或氢氧化钠、乙二胺、乙醇、四乙基氢氧化铵；以第二层结构下表面的孔洞作为掩膜对第三层结构进行蚀刻。本发明采用单掩膜技术进行制备，制备过程简便易操作，不受对准机器限制，能够实现大面积生产，且该方法制备的掩膜板的孔径和孔的形貌可以实现更好的电子放大增益。