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公开(公告)号：CN105576384A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610028959.5
申请日：2016-01-15
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 本发明公开了一种多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器，包括：MIM波导和波导内的金属-DBR-金属插层-DBR-金属结构，其中金属-DBR-金属插层-DBR-金属结构两侧金属厚度不同，以金属插层为中心，其两侧DBR的周期数分别为N1和N2。本发明是一种新颖的多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器，TM偏振光由左侧正入射，通过MIM结构，可以在波导内高效激发出Gap-SPPs，而处于波导内的金属-DBR-金属插层-DBR-金属结构可以激发出多重光学Tamm态，并相互耦合形成多个劈裂的吸收峰，实现多通道的窄带完美吸收。本发明的表面等离子体吸收器结构紧凑，易于加工和高质量制备，在危险物质检测、高光谱多频成像、相干热辐射和隐身技术等领域有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105576384B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201610028959.5
申请日：2016-01-15
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01Q17/00
摘要： 本发明公开了一种多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器，包括：MIM波导和波导内的金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构，其中金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构两侧金属厚度不同，以金属插层为中心，其两侧DBR的周期数分别为N1和N2。本发明是一种新颖的多通道可调谐Tamm等离子体完美吸收器，TM偏振光由左侧正入射，通过MIM结构，可以在波导内高效激发出Gap‑SPPs，而处于波导内的金属‑DBR‑金属插层‑DBR‑金属结构可以激发出多重光学Tamm态，并相互耦合形成多个劈裂的吸收峰，实现多通道的窄带完美吸收。本发明的表面等离子体吸收器结构紧凑，易于加工和高质量制备，在危险物质检测、高光谱多频成像、相干热辐射和隐身技术等领域有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106896434B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201710165701.4
申请日：2017-03-20
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开一种全光二极管，包括金属‑介质‑金属波导结构，波导内包括DBR‑金属‑均匀介质结构，DBR由高折射率介质A和低折射率介质B周期性排列构成，其周期数为N，介质A与介质B的折射率分别为nA、nB，厚度分别为dA、dB，满足条件其中ω0为Bragg频率；DBR‑金属‑均匀介质结构中的金属厚度小于全光二极管工作波长λ的趋肤深度；DBR‑金属‑均匀介质结构中的均匀介质折射率为nC，厚度为dC，对于全光二极管器件的工作波长λ，满足F‑P共振条件nCdC＝jλ/2，其中j为整数。本发明具有结构简单、尺寸小、且工作波长可调等特点，在光子集成、全光网络等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN106896434A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710165701.4
申请日：2017-03-20
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： G02B5/008 , G02F1/3544 , G02F1/365
摘要： 本发明公开一种全光二极管，包括金属‑介质‑金属波导结构，波导内包括DBR‑金属‑均匀介质结构，DBR由高折射率介质A和低折射率介质B周期性排列构成，其周期数为N，介质A与介质B的折射率分别为nA、nB，厚度分别为dA、dB，满足条件其中ω0为Bragg频率；DBR‑金属‑均匀介质结构中的金属厚度小于全光二极管工作波长λ的趋肤深度；DBR‑金属‑均匀介质结构中的均匀介质折射率为nC，厚度为dC，对于全光二极管器件的工作波长λ，满足F‑P共振条件nCdC＝jλ/2，其中j为整数。本发明具有结构简单、尺寸小、且工作波长可调等特点，在光子集成、全光网络等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN206627647U
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201720271006.1
申请日：2017-03-20
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本实用新型公开一种全光二极管，包括金属-介质-金属波导结构，波导内包括DBR-金属-均匀介质结构，DBR由高折射率介质A和低折射率介质B周期性排列构成，其周期数为N，介质A与介质B的折射率分别为nA、nB，厚度分别为dA、dB，满足条件其中ω0为Bragg频率；DBR-金属-均匀介质结构中的金属厚度小于全光二极管工作波长λ的趋肤深度；DBR-金属-均匀介质结构中的均匀介质折射率为nC，厚度为dC，对于全光二极管器件的工作波长λ，满足F-P共振条件nCdC＝jλ/2，其中j为整数。本实用新型具有结构简单、尺寸小、且工作波长可调等特点，在光子集成、全光网络等领域有着重要的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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