公开(公告)号：CN113540149B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202110787366.8

申请日：2021-07-12

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 王硕 ,  廖志敏 ,  林本川 ,  房景治 ,  俞大鹏

IPC: H10B99/00 ,  G11C11/02

Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法，方法包括以下步骤：一、制备磁性拓扑绝缘体材料；二、对样品的性质进行表征；三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上；四、制备出霍尔条构型的金属电极；五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变；本发明能提升存储密度，具有非易失和极低功耗的双重优点。

公开(公告)号：CN107863412A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710985339.5

申请日：2017-10-20

Applicant: 北京大学 ,  南方科技大学

Inventor： 廖志敏 ,  周勇 ,  孙栋 ,  俞大鹏

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/035227

Abstract: 本公开涉及光探测及其制造方法。一种光探测器，包括：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和第二电极之间的六硼化钐纳米线。

公开(公告)号：CN113540149A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110787366.8

申请日：2021-07-12

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 王硕 ,  廖志敏 ,  林本川 ,  房景治 ,  俞大鹏

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/02 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法，方法包括以下步骤：一、制备磁性拓扑绝缘体材料；二、对样品的性质进行表征；三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上；四、制备出霍尔条构型的金属电极；五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变；本发明能提升存储密度，具有非易失和极低功耗的双重优点。