一种金属氧化物/共价有机框架p-n异质结的合成方法及应用

    公开(公告)号:CN118513084A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410597523.2

    申请日:2024-05-14

    申请人: 南昌大学

    摘要: 本发明公开了一种金属氧化物/共价有机框架p‑n异质结的合成方法及应用,属于环境保护技术领域。本发明首先合成了n型半导体共价有机框架,再将钨酸钠和氯化钴在共价有机框架表面原位生成p型半导体CoWO4,制得金属氧化物/共价有机框架p‑n异质结。本发明方法合成的金属氧化物/共价有机框架p‑n异质结因其大的功函数差值和载流子种类的差异,可自发构建双重内电场,促进光生电荷‑空穴的分离,实现了对U(VI)的高效光催化还原,具有良好的应用前景。