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公开(公告)号:CN118513084A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410597523.2
申请日:2024-05-14
申请人: 南昌大学
IPC分类号: B01J31/34 , C02F1/30 , B01J31/06 , B01J35/39 , C02F103/10 , C02F101/20
摘要: 本发明公开了一种金属氧化物/共价有机框架p‑n异质结的合成方法及应用,属于环境保护技术领域。本发明首先合成了n型半导体共价有机框架,再将钨酸钠和氯化钴在共价有机框架表面原位生成p型半导体CoWO4,制得金属氧化物/共价有机框架p‑n异质结。本发明方法合成的金属氧化物/共价有机框架p‑n异质结因其大的功函数差值和载流子种类的差异,可自发构建双重内电场,促进光生电荷‑空穴的分离,实现了对U(VI)的高效光催化还原,具有良好的应用前景。