公开(公告)号：CN117936665A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410121667.0

申请日：2024-01-30

申请人： 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

发明人： 吴小明 ,  林前英 ,  王立 ,  王伟 ,  胡志敏 ,  胡民伟 ,  刘璐

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L27/15

摘要： 本发明公开一种垂直结构Micro LED显示器件制备方法，包括S1、半导体层制备；S2、将半导体层转移至Micro LED基板；S3、Micro LED阵列制备；S4、第一电极制备；S5第二电极制备。步骤S2采用面对面键合将半导体层转移至Micro LED基板，无需制备金属凸点，无需对准键合，避免了现有单片集成方案需要将金属凸点对准键合的难点，在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，无需采用电极垫高等工艺，减少了制备过程中光刻次数，降低了制备难度。在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，因此键合金属层的厚度较薄，降低了键合金属用量，能在一定程度上降低制造成本。

公开(公告)号：CN113437194A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110575377.X

申请日：2021-05-26

申请人： 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

发明人： 吴小明 ,  胡志敏 ,  陈芳 ,  莫春兰 ,  王立

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种高反射低欧姆接触电极的制备方法，所述高反射低欧姆接触电极主要应用在半导发光芯片中。制造过程中，在衬底上生长多层包括N型层、发光层和P型层的氮化物。所述高反射低欧姆接触电极是制备在P型层的氮化物之上，且为能与P型层形成良好欧姆接触的金属纳米点和Ag反射镜的双层结构。金属纳米点的存在，有效地改善了Ag反射镜的薄膜晶体质量，显著地提高了Ag反射镜的反射率，降低了半导发光芯片的工作电压，从而提升了半导发光芯片的电光转化效率。