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公开(公告)号：CN112915961A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110098947.0
申请日：2021-01-25
Applicant: 南昌航空大学
Abstract: 一种磷酸改性的层状双金属氢氧化物材料的制备方法及其应用，涉及一种层状双金属氢氧化物材料的制备方法及其应用。本发明是要解决现有的镧离子吸附容量低的技术问题。本发明的优点在于：本发明首次将磷酸作为层间阴离子对LDH进行改性，相较于传统的镧离子吸附材料而言，LDH吸附材料的合成方法更加简单易操作，原料成本低且得到的吸附材料具有及其优越的吸附容量。本发明的磷酸改性的层状双金属氢氧化物材料，与普通的镧离子吸附材料相比，合成方法简单易操作，原料成本低且得到的吸附材料具有及其优越的吸附容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107652211B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201710868131.5
申请日：2017-09-22
Applicant: 南昌航空大学
IPC: C07C303/32 , C07C309/14 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种超支化磺酸钠小分子电子传输层的制备方法，该超支化磺酸钠小分子电解质可通过一步简单的反应制得。首先，将四亚乙基五胺加入到干燥的四氢呋喃溶液中，在冰浴和氮气氛围下加入NaH，室温搅拌2h，再将反应液升至50℃反应过夜，通过恒压滴液漏斗加入过量的1,4‑丁烷磺内酯，反应结束后冷却至室温，抽滤，收集滤渣，得到的滤渣溶于去离子水，用孔径为1000的透析袋透析提纯，得到淡黄色的目标产物PNSO3Na。由于超支化侧链极性基团的存在，赋予该小分子既可以实现水和醇等环境友好极性溶剂加工，又能形成界面偶极子，降低功函，改善界面接触。可作为良好的光伏电池、LED和FET等器件的阴极界面层。
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公开(公告)号：CN114832771A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210542045.6
申请日：2022-05-18
Applicant: 南昌航空大学
IPC: B01J20/04 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/14
Abstract: 一种锆改性的铝基层状材料的制备方法及其应用，涉及一种铝基层状材料的制备方法及其应用。本发明是要解决现有的吸附剂对氟的吸附容量较差的技术问题。本发明提供了一种新型除氟材料的制备方法，是一种以原位合成法为基础思路对铝基层状材料进行锆掺杂改性得到的，所获得的锆改性的铝基层状材料与原始未掺杂的铝基层状材料相比吸附容量和吸附性能均显著提高，能有效吸附去除水体中氟离子污染物，且无毒、不溶于水，是比较理想的水处理吸附剂，推进了铝基材料在处理氟离子污染方面的应用。
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公开(公告)号：CN107652211A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710868131.5
申请日：2017-09-22
Applicant: 南昌航空大学
IPC: C07C303/32 , C07C309/14 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种新型超支化磺酸钠小分子电子传输层的制备方法，该超支化磺酸钠小分子电解质可通过一步简单的反应制得。首先，将四亚乙基五胺加入到干燥的四氢呋喃溶液中，在冰浴和氮气氛围下加入NaH，室温搅拌2h，再将反应液升至50 ℃反应过夜，通过恒压滴液漏斗加入过量的1,4-丁烷磺内酯，反应结束后冷却至室温，抽滤，收集滤渣，得到的滤渣溶于去离子水，用孔径为1000的透析袋透析提纯，得到淡黄色的目标产物PNSO3Na。由于超支化侧链极性基团的存在，赋予该小分子既可以实现水和醇等环境友好极性溶剂加工，又能形成界面偶极子，降低功函，改善界面接触。可作为良好的光伏电池、LED和FET等器件的阴极界面层。
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公开(公告)号：CN106947065B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710264076.9
申请日：2017-04-21
Applicant: 南昌航空大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种噻吩芴嵌段共轭聚合物阴极界面层的制备方法，该噻吩芴嵌段共轭聚合物电解质通过Kumada催化剂转移偶联聚合得到。以1,3‑双二苯基膦丙烷氯化镍Ni(dppp)Cl2为催化剂，以干燥的四氢呋喃为溶剂，将二种化合物聚合反应而成，得到目标中性嵌段共轭聚合物PTEO‑b‑PF6N。聚合物用正己烷沉降，用透析袋透析，用中性氧化铝过柱，烘干得到橘黄色固体。由于侧链含有极性叔胺和烷氧基，赋予该噻吩芴嵌段共轭聚合物既可以实现水和醇等环境友好极性溶剂加工，降低阴极电极界面功函，进一步降低活性层和阴极之间的界面势垒，又能改善上层活性层的形貌。可作为良好的OPV、LED和FET等器件的阴极界面层。
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公开(公告)号：CN106947065A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710264076.9
申请日：2017-04-21
Applicant: 南昌航空大学
CPC classification number: Y02E10/549 , C08G61/126 , C08G2261/122 , C08G2261/126 , C08G2261/1424 , C08G2261/143 , C08G2261/18 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/79 , C08G2261/91 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了一种噻吩芴嵌段共轭聚合物阴极界面层的制备方法，该噻吩芴嵌段共轭聚合物电解质通过Kumada催化剂转移偶联聚合得到。以1,3‑双二苯基膦丙烷氯化镍Ni(dppp)Cl2为催化剂，以干燥的四氢呋喃为溶剂，将二种化合物聚合反应而成，得到目标中性嵌段共轭聚合物PTEO‑b‑PF6N。聚合物用正己烷沉降，用透析袋透析，用中性氧化铝过柱，烘干得到橘黄色固体。由于侧链含有极性叔胺和烷氧基，赋予该噻吩芴嵌段共轭聚合物既可以实现水和醇等环境友好极性溶剂加工，降低阴极电极界面功函，进一步降低活性层和阴极之间的界面势垒，又能改善上层活性层的形貌。可作为良好的OPV、LED和FET等器件的阴极界面层。
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