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公开(公告)号：CN115330767B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211248311.0
申请日：2022-10-12
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/13 , G06T5/00 , G06T5/20 , G06V10/762 , G06V10/764
摘要： 本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种腐蚀箔生产异常识别方法，该方法获取腐蚀箔灰度图，根据像素点的灰度值和欧式距离将腐蚀箔灰度图分为三类区域，计算每个像素点的异常概率，选取灰度均值最大的类别作为目标类别，由目标类别中灰度值最大的像素点得到目标像素点，根据每个区域中每个像素点与目标像素点的位置关系计算每个像素点的距离调节权重值；结合距离调节权重值和灰度值获取像素点的调整权重值；利用调整权重值对异常概率进行调整得到新异常概率，基于新异常概率对腐蚀箔灰度图进行滤波处理，得到滤波图像，对滤波图像进行腐蚀箔凸点缺陷识别。本发明在保证图像信息不丢失的前提下，提高了腐蚀箔的凸点缺陷识别结果。
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公开(公告)号：CN113913914A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110935569.7
申请日：2021-08-16
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及电容器用电极材料技术领域，具体涉及一种军工用电容器电极箔的制造方法，首先，将高纯铝箔置于预处理液中，去除表面杂质；然后，置于一定温度的电化学腐蚀液中浸泡，进行电化学腐蚀；接下来，置于一定温度和120‑400mA/cm2电流密度下的发孔腐蚀液中，进行发孔腐蚀；清洗后，置于含添加剂的扩孔腐蚀液中，于一定温度和20‑100mA/cm2电流密度的直流电条件下进行扩孔腐蚀；最后，经过洗涤和退火的后处理，制得军工用电容器电极箔。本发明通过采用直流扩孔大电流、短时间的腐蚀方式，再增加退火处理，有效提高电极箔留径，从而大幅提升折曲强度，满足军工用电容器电极箔的使用要求。
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公开(公告)号：CN113802173A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110935853.4
申请日：2021-08-16
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及电容器用电极材料技术领域，具体涉及一种超高容量腐蚀箔的制造方法，首先，将高纯铝箔置于预处理液中，去除表面杂质；然后，置于一定温度的电化学腐蚀液中浸泡，进行电化学腐蚀；接下来，置于一定温度和电流密度A直流电条件下的发孔腐蚀液中浸泡腐蚀，进行发孔腐蚀；清洗后，置于含大分子缓蚀剂的扩孔腐蚀液中，于一定温度和电流密度B的直流电条件下，浸泡腐蚀进行扩孔腐蚀；最后，经过洗涤和烘干的后处理，制得超高容量腐蚀箔。本发明能大幅度提高铝箔表面和隧道孔口附近的电化学反应的阻力，加速了孔内的扩孔过程，大幅提高比容，满足超高容量腐蚀箔使用要求。
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公开(公告)号：CN118502377B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410971120.X
申请日：2024-07-19
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418
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公开(公告)号：CN118812851A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411041162.X
申请日：2024-07-31
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
IPC分类号： C08G75/045 , C08K3/04
摘要： 本发明提出了一种具有高介电常数的碳纳米管‑碳量子点/硫醇‑烯复合材料及其制备方法，属于介电复合材料的技术领域，用以解决碳纳管材料与高分子聚合物结合性差，导致高分子聚合物材料的介电常数和电导率低的技术问题。本发明碳纳米管‑碳量子点/硫醇‑烯复合材料的制备包括以下步骤：(1)将凝固剂、碳纳米管和碳量子点的DMF溶液、硫醇单体和烯丙基单体混合溶解配制混合溶液；(2)利用紫外光照射或加热的方法使混合溶液固化，得到碳纳米管‑碳量子点/硫醇‑烯复合材料。本发明通过紫外光诱导或加热的方法将硫醇‑烯与碳纳米管和碳量子点的DMF溶液迅速交联固化，可以有效地提高高分子聚合物材料的介电常数和电导率。
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公开(公告)号：CN118448167B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410452088.4
申请日：2024-01-18
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
摘要： 本发明属于电容器腐蚀箔的制备技术领域，公开了一种中压腐蚀箔，所述中压腐蚀箔基于一中压腐蚀箔的制造方法，制备方法包括以下步骤：S1、前处理；S2、一级发孔；S3、二级发孔；S4、热处理；S5、三级扩孔；S6、后处理。通过该方法制造的中压腐蚀箔具有更高的抗弯折强度，且具有更高的比容量与良好的电化学特性。该方法制造的中压腐蚀箔相较于现有技术可以使得折曲强度、静电容量和孔洞均匀度与数量综合平衡效果的提升，尤其是静电容量的提升。
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公开(公告)号：CN118315891B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410743876.9
申请日：2024-06-11
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
IPC分类号： H01R43/048
摘要： 本发明涉及电极箔制造技术领域，且公开了一种电极箔接箔工装及接箔方法，底座上端通过立板连接有用于放置电极箔的顶板，顶板下端中部设有凸座，顶板上端左右两侧设有盒体，盒体上设有滚压机构；底座的上端中部设有液压缸，液压缸输出端顶部连接有升降板，升降板的上端通过弹性座可拆卸连接有穿刺针板，穿刺针板上端设有若干组穿刺针；本发明滚压机构的滚压筒滚压至电极箔上端侧边，这样可用于将上下堆叠的电极箔进行压紧固定，有效避免穿刺针对上下堆叠的电极箔进行穿刺时造成上下堆叠的电极箔产生错位偏移，避免导致穿刺失败的情况；升降板驱动剪切机构将穿刺针位于开孔的部分进行剪切，实现穿刺针和穿刺针板的脱离。
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公开(公告)号：CN115330642B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211249249.7
申请日：2022-10-12
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及电数字数据处理技术领域，具体涉及一种铝箔化成反应过程中的数据管理方法。方法包括：根据灰度图像，得到灰度图像对应的标定量和灰度图像对应的各超像素块的特征值；根据特征值，得到灰度图像对应的初始加密矩阵；根据初始加密矩阵中的参数，得到初始加密矩阵对应的衰减参数；根据初始加密矩阵，得到灰度图像对应的初始密文图像；将初始密文图像对应的标定量与对应灰度图像对应的标定量的差值的绝对值，记为初始密文图像对应的加密评价指标；根据衰减参数和加密评价指标，得到最佳加密矩阵；利用最佳加密矩阵，对铝箔化成反应过程中的RGB图像进行加密。本发明能够提高对铝箔化成反应中的图像数据进行加密的可靠性。
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公开(公告)号：CN117612868A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410072285.3
申请日：2024-01-18
申请人： 南通南辉电子材料股份有限公司
摘要： 本发明属于电容器腐蚀箔的制备技术领域，公开了一种中压腐蚀箔的制造方法，其制备方法包括以下步骤：S1、前处理；S2、一级发孔；S3、二级发孔；S4、热处理；S5、三级扩孔；S6、后处理。通过该方法制造的中压腐蚀箔具有更高的抗弯折强度，且具有更高的比容量与良好的电化学特性。该方法制造的中压腐蚀箔相较于现有技术可以使得折曲强度、静电容量和孔洞均匀度与数量综合平衡效果的提升，尤其是静电容量的提升。
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