公开(公告)号：CN106591937A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201710019679.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  尤敏 ,  陈云 ,  邓洁 ,  朱海峰 ,  章国安

IPC: C30B11/04 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段；(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段；(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。

公开(公告)号：CN106869747A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710035260.6

申请日：2017-01-18

Applicant: 南通大学

Inventor： 印月 ,  林凡 ,  王强 ,  陈云 ,  邓洁 ,  朱海峰 ,  邓洪海 ,  尤敏

IPC: E06B9/52 ,  E06B5/10 ,  E06B7/28 ,  H01T23/00

Abstract: 本发明公开了一种阻挡PM2.5的窗纱装置及其工作方法，包括外层纱窗和内层纱窗，所述外层纱窗和内层纱窗均通过塑料窗框固定，所述外层纱窗和内层纱窗的两层纱网上一一对应安装有若干个均匀分布的呈阵列排列的小磁铁，所述塑料窗框的顶部安装有负离子发生器，所述负离子发生器包括负离子产生电路和用于对外喷射负离子的碳刷头，所述负离子产生电路安装在塑料窗框里，所述用于对外喷射负离子的碳刷头位于外层纱窗和内层纱窗的两层纱网的中间，方向垂直朝下，在纱窗的两层纱网间纵向释放电子，使电子充斥在纱网中。本发明可以保证通风的条件下有效阻止雾霾进入房间，并且可以净化室内的尘埃颗粒，达到清洁空气的效果。

公开(公告)号：CN106591937B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201710019679.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  尤敏 ,  陈云 ,  邓洁 ,  朱海峰 ,  章国安

IPC: C30B11/04 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种凹陷式块状类单晶籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：(1)单晶硅籽晶的制备及装料阶段；(2)单晶硅籽晶铸锭熔化阶段；(3)类单晶长晶阶段。本发明的特点在于当硅料熔液从顶部向底部流动经过阻挡层时，会沿着晶砖的凹陷角度向坩埚中心流动。这样就可以避免因为铸锭炉的加热器位于坩埚顶部和四壁，坩埚壁处的温度较高，导致坩埚壁处的硅溶液沿着坩埚壁向下流动，接触籽晶层造成边侧籽晶层熔穿的现象。同时，缓冲层向中心流动的硅熔液可以提高坩埚中心的温度，避免了在中心处的籽晶层未熔化的现象，采用了降温速率控制工艺，实现了铸锭工艺的优化。

公开(公告)号：CN105964498B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201610495808.0

申请日：2016-06-29

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  尤敏 ,  陈云 ,  邓洁 ,  朱海峰

IPC: B05C11/00 ,  B05C11/02 ,  B05C11/10

Abstract: 本发明公开了一种专用于匀胶机托盘真空吸片口上的插条式端盖，插条式端盖包括圆形端面和下腔体；圆形端面的中心设有中心圆，中心圆的四周向外扩散均匀排布有若干列小圆孔，小圆孔的直径大小均相同，小圆孔的外围均匀分布有一圈圆弧槽，圆弧槽的个数为四个，两个相邻的圆弧槽间隙间向外扩散有一列圆孔，圆孔的直径大小均相同；下腔体的中心设有抽气孔，抽气孔呈圆台状，所述抽气孔外均匀分布有四个挡胶板。本发明为柔性托盘端盖，当大圆孔位于不同长度的挡胶板下时，可适用于不同尺寸的基片，在保证旋涂匀胶性能的同时，减小基片的形变。其柔性化工作原理为；当插在有挡胶板处时，部分圆孔被遮挡，插在无挡胶板处时，圆孔所有孔可提供吸附力。

公开(公告)号：CN106835271A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710019712.1

申请日：2017-01-12

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  尤敏 ,  陈云 ,  朱海峰 ,  邓洁 ,  邓洪海 ,  章国安

IPC: C30B28/06 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B28/06 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种缓冲式多晶硅籽晶熔化控制的装料方法，包括以下步骤：在坩埚底部铺设一层多晶硅块作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层；在籽晶层上码放小颗粒原生多晶硅料和细小多晶硅碎片，作为缓冲层；在缓冲层上码放一层多晶硅晶砖，作为阻挡层；使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中的多晶硅晶砖的缝隙填满；在阻挡层上逐层码放如下硅料：菜籽料、原生多晶硅料、头尾及边皮料，直至堆放硅料高出坩埚。本发明中的缓冲式籽晶熔化控制技术截断了硅熔液从顶部熔化后直接沿硅料缝隙侵蚀籽晶层的通道，避免了籽晶层出现局部过熔现象。采用缓冲式籽晶熔化控制技术可以延长硅锭的直线缺陷区的长度，降低硅锭底部红区的高度，提高硅锭质量。

公开(公告)号：CN106757337A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710019684.3

申请日：2017-01-12

Applicant: 南通大学

Inventor： 邓洁 ,  尤敏 ,  王强 ,  朱海峰 ,  邓洪海 ,  章国安

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B28/06

Abstract: 本发明公开了一种缓冲式多层多晶硅籽晶熔化控制的装料方法，包括以下步骤：在坩埚底部铺设一层多晶硅块作为定向凝铸半熔工艺的籽晶层；在籽晶层上码放小颗粒原生多晶硅料和细小多晶硅碎片，作为缓冲层；在缓冲层上码放多层多晶硅晶砖，作为阻挡层；使用小颗粒原生多晶硅料将上述步骤中的多晶硅晶砖的缝隙填满；在阻挡层上逐层码放如下硅料：菜籽料、原生多晶硅料、头尾及边皮料，直至堆放硅料高出坩埚100‑120mm。本发明通过阻挡层与缓冲层的组合应用，能够得到平直的固液界面，硅锭更易于进行外延生长，晶粒更均匀，柱状晶更完整，减少了缺陷簇和晶粒晶界的形成，提高了硅锭的质量。