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公开(公告)号：CN115189124B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210819394.8
申请日：2022-07-12
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 定，综合提升性能。本发明公开了一种E面低互耦贴片直线阵列天线，包括若干金属贴片、若干介质基板以及金属大地基板，所述金属贴片、所述介质基板以及金属大地基板之间通过金属探针贯穿连接，所述介质基板包括依次层叠的顶层介质基板、中间层介质基板以及底层介质基板，所述金属贴片内嵌于所述顶层介质基板内，且所述中间层介质基板内设置有若干非金属化过孔，若干非金属化过孔周期性排列为若干矩形区域，每个矩形区域的位置与每个金属贴片相对应，且每个矩形区域的一侧与对应金属贴片的一侧相互齐平。本发明能够(56)对比文件柴雯雯;张晓娟.共面馈电凹口矩形贴片天线间的互耦.微计算机信息.2008,(第18期),全文.
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公开(公告)号：CN114784494B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210506628.3
申请日：2022-05-11
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种宽带解耦的叠层贴片天线，从上至下包括顶层金属结构、第一介质基板、第二介质基板以及大地金属基板，所述顶层金属结构包括若干设置于所述第一介质基板上的寄生金属贴片，每个寄生金属贴片上具有双圆孔单圆盘结构，且相邻的两个寄生金属贴片之间的区域设置有一对对称的半波长金属条带；所述第一介质基板与所述第二介质基板之间与所述顶层金属结构对应处设置有中间层金属结构，所述大地金属基板设置于所述第二介质基板的底部，且所述顶层金属结构、所述第一介质基板、所述中间层金属结构、所述第二介质基板以及所述大地金属基板之间通过金属探针贯穿连接。本发明具有结构简单、无剖面增加、易集成等特点。
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公开(公告)号：CN116742352B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311030659.7
申请日：2023-08-16
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种毫米波双向辐射介质端射天线，包括从上往下依次设置的金属顶层、上层介质基片、第一金属中间层、中间层介质基片、下层介质基片和金属底层；第一金属中间层包括对称设置的两矩形金属一和具有半椭圆缺口的矩形金属二，上层介质基片的一侧设置有第二金属中间层，第二金属中间层包括阶梯型共面耦合结构和均匀共面耦合结构，上层介质基片和下层介质基片均为矩形介质条，且矩形介质条的中部设置若干圆形空气孔一；金属顶层、上层介质基片、中间层介质基片、矩形金属一、下层介质基片和金属底层之间通过位于两侧的对称设置的若干金属化过孔连接。本发明具有导体损耗低，并兼具小尺寸、结构简单以及印刷电路板可集成等特点。
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公开(公告)号：CN116885440A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311152607.7
申请日：2023-09-08
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种基片集成宽波束天线，包括金属顶层、上层高介电常数基片、金属中间层一、中间层低介电常数基片、金属中间层二、下层高介电常数基片以及金属底层；金属顶/底层包括分布于两侧的条形金属；上/下层高介电常数基片包括矩形介质块，矩形介质块的中部具有方形缺口；金属中间层一包括环形金属条带和线形金属条带，环形金属条带包括共面耦合线一，共面耦合线一的末端连接有共面耦合线二，共面耦合线二的末端连接有粗导线，两粗导线的末端通过细导线连接，线形金属条带连接于细导线的侧面；金属中间层二包括矩形金属，矩形金属的中部具有矩形缺口。本发明能够兼顾基片集成及在毫米波频段的高辐射效率，并且3dB波束宽度较宽。
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公开(公告)号：CN116800219A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310900666.1
申请日：2023-07-20
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
IPC分类号： H03H7/06
摘要： 本发明公开一种频率可调平衡至单端式滤波功分器的电路结构，包括：环形传输线结构，在其环形路线上具有顺次分布的第一连接点、第七连接点、第二连接点、第三连接点、第四连接点、第八连接点、第五连接点以及第六连接点；第一连接点连接第一输入端口，第五连接点连接第二输入端口，第二输入端口与第一输入端口构成一对平衡式输入端口；第二连接点连接第一输出端口，第四连接点连接第二输出端口；第一连接点、第二连接点、第三连接点、第四连接点、第五连接点以及第六连接点分别连接一个端接式非对称调谐电路，第三连接点还连接有接地电阻，跨接式对称型调谐电路连接第七连接点和第八连接点，各调谐电路还连接有对应的直流偏置点。
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公开(公告)号：CN116544637A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310440364.0
申请日：2023-04-23
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种带宽可调差分滤波器，包括中心变容管，中心变容管的两侧对称设置有差分馈电结构，每个差分馈电结构与中心变容管之间连接有串跨接变容管加载四分之一波长耦合线，且串跨接变容管加载四分之一波长耦合线与差分馈电结构之间连接有电容一，串跨接变容管加载四分之一波长耦合线包括与电容一顺序串联的耦合线一、电容二、耦合线二、变容管一以及耦合线三；电容二和变容管一位于耦合线的下支路，耦合线三的下端为开路；耦合线一与耦合线二之间且位于耦合线的上下两线之间跨接有变容管二；耦合线二与耦合线三之间且位于耦合线的上支路串接有电容三；变容管一和变容管二的两端均端接两个射频扼流电感。
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公开(公告)号：CN116207464A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310442378.6
申请日：2023-04-23
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种双模基片集成波导谐振器，包括金属顶层、介质基板和金属大地，所述金属顶层设置于所述介质基板的顶面，所述金属大地设置于所述介质基板的底侧，所述金属顶层与所述金属大地之间通过若干贯穿所述介质基板的横向金属化过孔带以及纵向金属化过孔带相互连接，所述横向金属化过孔带由若干横向排列的金属化过孔形成，所述纵向金属化过孔带由若干纵向排列的金属化过孔形成，且若干横向金属化过孔带位于金属顶层的宽边边缘，若干纵向金属化过孔带位于两侧横向金属化过孔带之间，位于金属顶层中部的纵向金属化过孔带具有无孔地带。本发明能够产生具有相向水平电场分布的双模、独立调控模式频率使双模彼此相邻，并提高模式频率的调控能力。
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公开(公告)号：CN109616751A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910032036.0
申请日：2019-01-14
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种低剖面宽带介质谐振器天线，包括：依次层叠的第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板。本发明通过高介电常数的介质薄片层叠于两层低介电常数的介质基板之上，构成层叠型介质谐振器，并在这两层低介电常数的介质基板之间，加载入一根金属带条，形成一种金属带条加载的层叠型介质谐振器结构，由于金属带条的加载效应，此介质谐振器结构具备了双模工作特性，较传统的介质谐振器天线而言，此金属带条加载的层叠型介质谐振器天线能够在同等尺寸的前提下提供更宽的带宽及更高的增益。同时，该天线采用金属化通孔的馈电方式，便于5G毫米波AiP方案的集成一体化实现。
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公开(公告)号：CN109301472A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811282115.9
申请日：2018-10-31
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种双频带毫米波天线，包括自上而下五层结构：一对开设有U形槽的第一金属贴片；并排设置的一对第一金属条带；第二金属贴片，经由第一金属通孔与第一金属条带连接；开设有一个通孔的金属大地；第二金属条带，经由第二金属通孔与第二金属贴片连接；第一金属条带、第二金属贴片以及第一金属通孔组成折叠型阶跃阻抗谐振器,第二金属条带将信号通过第二金属通孔馈给谐振器，再将信号耦合到第一金属贴片，形成两个具有两个反射零点的工作频带，形成一定的带宽，且两个频带上的辐射方向图一致性较好，谐振器与刻槽金属贴片在金属大地的同一侧，有效节约了射频系统的布线空间，有利于天线与射频系统的集成。
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公开(公告)号：CN116914446B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310995717.3
申请日：2023-08-08
申请人： 南通至晟微电子技术有限公司
摘要： 本发明公开一种高频比双波束共口径天线，包括由上至下依次层叠设置的顶层金属结构、第一介质基片、中间层金属结构、第二介质基片、金属大地、第三介质基片和底层金属结构，还包括第一金属化过孔、第二金属化过孔、第三金属化过孔以及金属探针，第一金属化过孔贯通第一介质基片，第二金属化过孔贯通第二介质基片，第三金属化过孔依次贯通第一介质基片、中间层金属结构、第二介质基片、金属大地以及第三介质基片，金属探针依次贯通第三介质基片、金属大地、第二介质基片、中间层金属结构以及第一介质基片。该方案使得高频比共口径天线获得双波束辐射，同时天线整体尺寸与剖面相对于低频天线无增加，且各高频天线单元具有独立馈电通道。
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