活性高纯度氧化镁及其生产方法

    公开(公告)号:CN112714751B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN201980061345.9

    申请日:2019-08-07

    IPC分类号: C01F5/02 C01F5/08 C01F5/14

    摘要: 本发明涉及化学技术,具体涉及活性高纯度氧化镁及其生产方法。生产包括经表面处理的氧化镁的活性高纯度氧化镁的方法包括将通过镁盐水溶液与碱性试剂的反应得到的氢氧化镁进行煅烧。氢氧化镁晶体是通过连续方法在彼此分开和隔离的区域中在氢氧化镁晶种和液态石油产品的存在下产生的,碱性试剂离子与氯化镁离子的摩尔比OH–:Mg++为(1.9‑2.1):1,所有区域中的温度不低于40℃,并且氢氧化镁晶体悬浮液在每个隔离区域中的停留时间为至少20分钟。本发明提供氧化镁的活性和化学纯度的提高。

    高纯度氧化镁及其生产方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118019711A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202280061022.1

    申请日:2022-07-06

    摘要: 高纯度氧化镁,其具有通过BET法测定的5至70m2/g的比表面积,通过激光衍射测定的不大于5μm的平均粒度(d50),元素Pb、Cd、As、Hg中每种杂质浓度不大于0.1ppm,元素Ba、Zn、Ti、Mn、Co、Mo、V、Sb、Sr中每种杂质浓度不大于1ppm,元素Al、F中每种杂质浓度不大于5ppm,元素P、Cr、Ni、K、Li中每种杂质浓度不大于10ppm,Fe的杂质浓度不大于50ppm,Si的杂质浓度不大于0.01%,元素Ca、B中每种杂质浓度不大于0.02%,硫酸根的杂质浓度不大于0.02%,Na的杂质浓度不大于0.05%,氯离子的杂质浓度不大于0.05%,并且包括初级颗粒和由初级颗粒组成的附聚物。所得到的氧化镁具有高化学纯度和受控的比表面积、孔体积、孔径分布、粒度分布和活性。

    活性高纯度氧化镁及其生产方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112714751A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201980061345.9

    申请日:2019-08-07

    IPC分类号: C01F5/02 C01F5/08 C01F5/14

    摘要: 本发明涉及化学技术,具体涉及活性高纯度氧化镁及其生产方法。生产包括经表面处理的氧化镁的活性高纯度氧化镁的方法包括将通过镁盐水溶液与碱性试剂的反应得到的氢氧化镁进行煅烧。氢氧化镁晶体是通过连续方法在彼此分开和隔离的区域中在氢氧化镁晶种和液态石油产品的存在下产生的,碱性试剂离子与氯化镁离子的摩尔比OH–:Mg++为(1.9‑2.1):1,所有区域中的温度不低于40℃,并且氢氧化镁晶体悬浮液在每个隔离区域中的停留时间为至少20分钟。本发明提供氧化镁的活性和化学纯度的提高。