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公开(公告)号:CN101438196B
公开(公告)日:2011-03-02
申请号:CN200780016315.3
申请日:2007-05-04
申请人: 卡尔·蔡司SMT股份公司
CPC分类号: G02B13/143 , G02B13/26 , G03F7/70241
摘要: 本发明特征在于一种用于微光刻的系统,该系统包括配置成发射多个汞发射谱线处的辐射的汞光源、设置成接收由汞光源发射的辐射的投影物镜以及配置成相对于投影物镜放置晶片的台。在操作期间,投影物镜将来自光源的辐射引导到晶片,其中在晶片处的辐射包括来自发射谱线中多于一条谱线的能量。用于所述投影物镜的光学透镜系统包括四个透镜组,每个透镜组具有两个包括二氧化硅的透镜,一方的第一和第二透镜组与另一方的第三和第四透镜组相对于与所述透镜系统的光轴垂直的平面对称放置。
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公开(公告)号:CN101438196A
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200780016315.3
申请日:2007-05-04
申请人: 卡尔·蔡司SMT股份公司
CPC分类号: G02B13/143 , G02B13/26 , G03F7/70241
摘要: 本发明特征在于一种用于微光刻的系统,该系统包括配置成发射多个汞发射谱线处的辐射的汞光源、设置成接收由汞光源发射的辐射的投影物镜以及配置成相对于投影物镜放置晶片的台。在操作期间,投影物镜将来自光源的辐射引导到晶片,其中在晶片处的辐射包括来自发射谱线中多于一条谱线的能量。用于所述投影物镜的光学透镜系统包括四个透镜组,每个透镜组具有两个包括二氧化硅的透镜,一方的第一和第二透镜组与另一方的第三和第四透镜组相对于与所述透镜系统的光轴垂直的平面对称放置。
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