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公开(公告)号:CN1565035A
公开(公告)日:2005-01-12
申请号:CN02819611.2
申请日:2002-10-02
Applicant: 卡尔赛斯半导体制造技术股份公司
CPC classification number: B82Y10/00 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495
Abstract: 为了减少在衬底上包含多层系统的光学元件的沾污,提出了将多层系统的至少一个层的层材料和/或层厚度选择成使在辐照的工作波长的反射过程中形成的驻波在多层系统的自由界面区域中形成电场强度的节点(节点条件)。而且,描述了用来确定多层系统的设计的方法以及制造工艺和光刻设备。
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公开(公告)号:CN1284978C
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN02819611.2
申请日:2002-10-02
Applicant: 卡尔赛斯半导体制造技术股份公司
CPC classification number: B82Y10/00 , G02B5/08 , G02B5/0816 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495
Abstract: 为了减少在衬底上包含多层系统的光学元件的沾污,提出了将多层系统的至少一个层的层材料和/或层厚度选择成使在辐照的工作波长的反射过程中形成的驻波在多层系统的自由界面区域中形成电场强度的节点(节点条件)。而且,描述了用来确定多层系统的设计的方法以及制造工艺和光刻设备。
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