公开(公告)号：CN102084041B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980126103.X

申请日：2009-04-29

申请人： 原子能与替代能源委员会

发明人： 皮特·莱斯 ,  李良

IPC分类号： C30B29/60 ,  C30B7/00 ,  B82B1/00 ,  C09K11/08

CPC分类号： C30B29/605 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C30B7/00 ,  C30B29/40

摘要： 本发明包含一种用于制备纳米晶体的方法，所述纳米晶体具有(i）一包含半导体的芯，该半导体包含代表呈＋IIＩ氧化态的金属或类金属的Ａ及代表呈-IIＩ氧化态的元素的B，该芯以(ii）一壳包覆，其中，该壳的外部包含具有化学式ＺｎS1-xEx的半导体，其中，Ｅ代表呈-II氧化态的元素，且ｘ是使0≤x＜1的小数，所述方法包含由以下所组成的步骤：使至少一Ａ的前体、至少一Ｂ的前体、至少一锌的前体、至少一硫的前体，及可取舍地，至少一Ｅ的前体的混合物以递增方式从温度T1加热至大于T1的温度T2，从而首先形成该芯然后形成该壳。本发明还有关于一种可通过本发明方法获得的纳米晶体及其用途。

公开(公告)号：CN102084041A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126103.X

申请日：2009-04-29

申请人： 原子能与替代能源委员会

发明人： 皮特·莱斯 ,  李良

IPC分类号： C30B29/60 ,  C30B7/00 ,  B82B1/00 ,  C09K11/08

CPC分类号： C30B29/605 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C30B7/00 ,  C30B29/40

摘要： 本发明包含一种用于制备纳米晶体的方法，所述纳米晶体具有(i)一包含半导体的芯，该半导体包含代表呈+III氧化态的金属或类金属的A及代表呈-III氧化态的元素的B，该芯以(ii)一壳包覆，其中，该壳的外部包含具有化学式ZnS1-xEx的半导体，其中，E代表呈-II氧化态的元素，且x是使0≤x＜1的小数，所述方法包含由以下所组成的步骤：使至少一A的先质、至少一B的先质、至少一锌的先质、至少一硫的先质，及可取舍地，至少一E的先质的混合物以递增方式从温度T1加热至大于T1的温度T2，从而首先形成该芯然后形成该壳。本发明还有关于一种可通过本发明方法获得的纳米晶体及其用途。