公开(公告)号：CN117280886A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202180083726.4

申请日：2021-10-25

申请人： 原子能和替代能源委员会 ,  三阳有限责任公司

发明人： 马蒂厄·芒索 ,  史铁番·克里斯 ,  皮亚·达利 ,  奥利维尔·杜普雷 ,  N·勒梅特尔

IPC分类号： H10K30/57

摘要： 本发明涉及一种串联光伏器件，该串联光伏器件以如下层叠顺序包括：A/硅基子电池A，特别是硅异质结子电池或隧穿氧化物钝化接触TOPCon架构子电池；以及B/钙钛矿基子电池B，该钙钛矿基子电池至少包括：‑N型导电层或半导体层(ETL)；‑P型导电层或半导体层(HTL)；以及‑钙钛矿型活性层，该钙钛矿型活性层插入在所述N型导电层或半导体层与所述P型导电层或半导体层之间，其中，所述N型导电层或半导体层基于N型金属氧化物的单独化纳米颗粒，并且具有低于或等于20％的原子碳含量。

公开(公告)号：CN117321780A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202180083704.8

申请日：2021-10-25

申请人： 原子能和替代能源委员会 ,  三阳有限责任公司

发明人： 马蒂厄·芒索 ,  奥利维尔·杜普雷 ,  N·勒梅特尔

IPC分类号： H01L31/0687

摘要： 本发明涉及一种串联光伏器件，该串联光伏器件以如下层叠顺序包括：A/硅基子电池A，特别是硅异质结子电池或隧穿氧化物钝化接触TOPCon架构子电池；以及B/钙钛矿基子电池B，该钙钛矿基子电池至少包括：‑导电层或半导体层，该导电层或半导体层在NIP结构的情况下为N型的导电层或半导体层，或在PIN结构的情况下为P型的导电层或半导体层，以及‑复合层，该复合层叠加在所述下导电层或下半导体层上，该复合层包括至少一种钙钛矿材料和至少一种在NIP结构的情况下为P型或在PIN结构的情况下为N型材料的材料，并且该复合层在NIP结构的情况下所具有的钙钛矿材料/P材料质量比的梯度或在PIN结构的情况下所具有的钙钛矿材料/N材料质量比的梯度，沿从所述复合层与所述下导电层或下半导体层之间的界面朝向所述复合层的相对面的方向减小，钙钛矿基子电池B具有平面结构。