公开(公告)号：CN113461951B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110958994.8

申请日：2021-08-20

申请人： 厦门大学

发明人： 姚晓吉 ,  李思维 ,  汤明 ,  黄金秋 ,  涂惠彬

IPC分类号： C08G77/60

摘要： 一种低含氧高纯度聚碳硅烷的制备方法，包括以下步骤：用有机溶剂熔融碱金属，滴加二甲基二氯硅烷生成聚二甲基硅烷；用无水醇反应剩余反应物，过滤除去溶剂；清洗碱金属氯化物和氢氧化物，过滤得到粗聚二甲基硅烷；抽真空除去水分和硅氧烷，得到精聚二甲基硅烷；常压高温裂解聚二甲基硅烷收集馏分；馏分常压高温合成聚碳硅烷。本发明对聚二甲基硅烷抽真空除去水分和硅氧烷，降低聚二甲基硅烷的含氧量；对聚二甲基硅烷在高温下裂解收集馏分合成，降低聚碳硅烷的支化度、碱金属和游离态碳含量的含量，保证聚碳硅烷的高纯度。制备的聚碳硅烷数均分子量600～1500，氧含量0.05wt％～0.6wt％，碱金属含量低于25ppm。

公开(公告)号：CN107130274A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710574633.7

申请日：2017-07-14

申请人： 厦门大学

发明人： 李思维 ,  万超 ,  涂惠彬 ,  陈立富 ,  汤明 ,  黄金秋

IPC分类号： C25D7/06 ,  C25D17/02 ,  C25D17/00

CPC分类号： C25D7/0607 ,  C25D17/005 ,  C25D17/02

摘要： 一种SiC纤维连续电镀的装置，涉及SiC纤维。设有电源设备、导电轮、第1绝缘导轮、第2绝缘导轮、第3绝缘导轮、电镀槽体和收线部件；所述电源设备用于安装各种零部件的支架，所述导电轮固定在支架左上方，所述第1绝缘导轮固定在支架上且位于导电轮正下方；所述第2绝缘导轮安装在支架上且位于第1绝缘导轮右下方；所述第3绝缘导轮固定在支架上且位于第2绝缘导轮水平右侧；所述电镀槽体放置在支架底座上；所述收线部件固定在支架上且位于第3绝缘导轮右上方。使电流在SiC纤维表面分布稳定，消除SiC纤维电镀时因特有的电阻效应导致的镀层厚度不均匀问题；装置结构简单、成本低廉、生产效率高，可用于工业化扩大生产。

公开(公告)号：CN113461951A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110958994.8

申请日：2021-08-20

申请人： 厦门大学

发明人： 姚晓吉 ,  李思维 ,  汤明 ,  黄金秋 ,  涂惠彬

IPC分类号： C08G77/60

摘要： 一种低含氧高纯度聚碳硅烷的制备方法，包括以下步骤：用有机溶剂熔融碱金属，滴加二甲基二氯硅烷生成聚二甲基硅烷；用无水醇反应剩余反应物，过滤除去溶剂；清洗碱金属氯化物和氢氧化物，过滤得到粗聚二甲基硅烷；抽真空除去水分和硅氧烷，得到精聚二甲基硅烷；常压高温裂解聚二甲基硅烷收集馏分；馏分常压高温合成聚碳硅烷。本发明对聚二甲基硅烷抽真空除去水分和硅氧烷，降低聚二甲基硅烷的含氧量；对聚二甲基硅烷在高温下裂解收集馏分合成，降低聚碳硅烷的支化度、碱金属和游离态碳含量的含量，保证聚碳硅烷的高纯度。制备的聚碳硅烷数均分子量600～1500，氧含量0.05wt％～0.6wt％，碱金属含量低于25ppm。