公开(公告)号：CN118938613A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410997185.1

申请日：2024-07-24

申请人： 厦门美日丰创光罩有限公司

发明人： 黄绍春 ,  黄宇光 ,  黄志贤

IPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/20 ,  G03F1/26 ,  G03F1/82 ,  G03F7/00

摘要： 本发明涉及一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法，其是在ICP机台内完成主蚀刻制程后，将偏置电压调节为，仅使用化学蚀刻将中心的Cr残留去除，由于单纯的化学蚀刻由于仅有化学反应，氯氧电浆对于Mosi层和二氧化硅层的时刻速率远小于蚀刻Cr的速率，因此采用此种蚀刻搭配可以在保证Mosi层的相位和穿透都符合要求的前提下，将中心的Cr残留去除，保证产品品质的完整性。

公开(公告)号：CN118759793A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411006118.5

申请日：2024-07-25

申请人： 厦门美日丰创光罩有限公司

发明人： 黄绍春 ,  黄宇光 ,  黄志贤

IPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

摘要： 本发明涉及一种均匀降低相转移光罩相位的方法，其通过Cl2/O2或者He/O2等离子的物理轰击将相转移光罩的相位移层均匀地蚀刻薄一层，其在蚀刻时间较短的情况下，修正范围可大于4°，并且在蚀刻过程中能够均匀、可控地对主要图像区域MoSi层的相位偏转值进行修正，大大提高了相转移光罩的成品率。