一种氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合光电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114606501B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202210291042.X

    申请日:2022-03-23

    IPC分类号: C23F13/14 C25D9/04 C25D5/54

    摘要: 本发明提供了一种氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合光电极及其制备方法和应用,属于防腐材料技术领域,包括基底和负载于所述基底表面的氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合材料。本发明提供的复合光电极中钒酸铋含有氧缺陷,能够利用氧空位改善钒酸铋电极的导电性,从而提升钒酸铋光生电荷在体相和表面的分离,磷化铁可以促进钒酸铋电极表面的载流子注入效率,大幅提升水氧化活性,氧缺陷和磷化铁之间具有协同作用,有助于提升光生电子的寿命和浓度,进而实现金属的阴极保护。实施例的结果显示,本发明提供的复合光电极的开路电位达到‑545mV,与304不锈钢耦合后自腐蚀电位为‑402mV。

    一种异质结光阳极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113293404B

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202011144710.3

    申请日:2020-10-23

    摘要: 本发明提供了一种异质结光阳极材料及其制备方法和应用,属于光电极材料技术领域。本发明的CuWO4/NiWO4以WO3、无机铜盐和无机镍盐通过煅烧反应一步生成,二者共用WO3作为反应的模板剂,因而CuWO4和NiWO4界面间不存在晶格不匹配问题,进而能够实现光生电荷的高效分离,极大提高光生载流子的分离效率和光电流密度。本发明中,CuWO4为n型半导体,NiWO4为p型半导体,二者能带匹配可形成有效的pn结,促进‑光生电荷在异质结界面间的电荷分离,从而显著提高光电流密度。且构造的CuWO4/NiWO4纳米异质结能够拓宽光吸收范围,进一步增加光吸收效率,对改善CuWO4的光电催化活性作用明显。

    一种氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合光电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114606501A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210291042.X

    申请日:2022-03-23

    IPC分类号: C23F13/14 C25D9/04 C25D5/54

    摘要: 本发明提供了一种氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合光电极及其制备方法和应用,属于防腐材料技术领域,包括基底和负载于所述基底表面的氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合材料。本发明提供的复合光电极中钒酸铋含有氧缺陷,能够利用氧空位改善钒酸铋电极的导电性,从而提升钒酸铋光生电荷在体相和表面的分离,磷化铁可以促进钒酸铋电极表面的载流子注入效率,大幅提升水氧化活性,氧缺陷和磷化铁之间具有协同作用,有助于提升光生电子的寿命和浓度,进而实现金属的阴极保护。实施例的结果显示,本发明提供的复合光电极的开路电位达到‑545mV,与304不锈钢耦合后自腐蚀电位为‑402mV。

    一种异质结光阳极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113293404A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202011144710.3

    申请日:2020-10-23

    摘要: 本发明提供了一种异质结光阳极材料及其制备方法和应用,属于光电极材料技术领域。本发明的CuWO4/NiWO4以WO3、无机铜盐和无机镍盐通过煅烧反应一步生成,二者共用WO3作为反应的模板剂,因而CuWO4和NiWO4界面间不存在晶格不匹配问题,进而能够实现光生电荷的高效分离,极大提高光生载流子的分离效率和光电流密度。本发明中,CuWO4为n型半导体,NiWO4为p型半导体,二者能带匹配可形成有效的pn结,促进‑光生电荷在异质结界面间的电荷分离,从而显著提高光电流密度。且构造的CuWO4/NiWO4纳米异质结能够拓宽光吸收范围,进一步增加光吸收效率,对改善CuWO4的光电催化活性作用明显。