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公开(公告)号:CN118937945A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202411270209.X
申请日:2024-09-11
Applicant: 合肥工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET动静态参数一体化测试系统,属于半导体器件测试技术领域。其包括主电路模块、电源模块、驱动模块、电流采样模块、电压采样模块和DSP。其中,主电路模块用于进行SiC MOSFET动态和静态参数的测试;电源模块用于为所述主电路模块、电流采样模块和电压采样模块供电;驱动模块用于将DSP产生的PWM信号进行功率放大,以驱动待测器件的开断;电流采样模块和电压采样模块分别在进行待测器件动态测试时用于采集电流和电压参数;DSP用于为驱动模块和主电路提供PWM信号,同时接收电流采样模块和电压采样模块的采样信号,分析待测器件的动态和静态性能。