公开(公告)号：CN119836018A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510304686.1

申请日：2025-03-14

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 张彦 ,  刘雨杭 ,  许俊 ,  陈俊伟

IPC: H10F30/22 ,  H10F77/14 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/049 ,  G06N3/067 ,  C03C17/36

Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，公开了一种偏压调控的MoS2/PbS异质结光电器件，是以FTO玻璃为导电基底，在FTO玻璃表面依次生长有MoS2薄膜和PbS薄膜，且PbS薄膜对MoS2形成三维骨架包覆型结构，在PbS薄膜和FTO玻璃上沉积有两个Ag电极。本发明的光电器件一体化实现了神经形态光电突触和宽带光电探测两种性能：该器件的突触特性来自于界面缺陷的调制，实现了光调节的短长期记忆转换（STM/LTM）和重复学习与遗忘等高级突触功能；而该器件优异的探测性能来自于异质界面载流子的快速分离。本发明的光电器件制备工艺简单，大面积的薄膜可以适用于工业生产，拓展了在模拟人体视觉神经记忆和紫外至短波红外波段探测领域的发展。