一种含导电保护薄膜的锂负极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108987673B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201810813974.X

    申请日:2018-07-23

    摘要: 本发明公开了一种含导电保护薄膜的锂负极的制备方法及应用。在锂片表面附着有真空溅射Cu膜。具体制备方法如下:在氩气手套箱内,先将锂片用导电双面胶贴在待溅射的托盘上,连同托盘一起放入密封盒内,再将密封盒内托盘转移到磁控溅射镀膜仪内,进行真空直流溅射Cu,溅射时间为240‑360秒。本发明制备的导电Cu膜具有层状和导状的复合形貌,既可避免锂片与电解液直接接触,又可分散电流,减小电流密度,抑制锂枝晶生长,促进电化学反应动力学。应用于锂硫电池表现出良好的循环稳定性和容量维持率。本发明制备过程简单可控,具有实际应用价值。

    一种含导电保护薄膜的锂负极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108987673A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201810813974.X

    申请日:2018-07-23

    摘要: 本发明公开了一种含导电保护薄膜的锂负极的制备方法及应用。在锂片表面附着有真空溅射Cu膜。具体制备方法如下:在氩气手套箱内,先将锂片用导电双面胶贴在待溅射的托盘上,连同托盘一起放入密封盒内,再将密封盒内托盘转移到磁控溅射镀膜仪内,进行真空直流溅射Cu,溅射时间为240-360秒。本发明制备的导电Cu膜具有层状和导状的复合形貌,既可避免锂片与电解液直接接触,又可分散电流,减小电流密度,抑制锂枝晶生长,促进电化学反应动力学。应用于锂硫电池表现出良好的循环稳定性和容量维持率。本发明制备过程简单可控,具有实际应用价值。