公开(公告)号：CN118016123A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410295744.4

申请日：2024-03-15

申请人： 合肥工业大学智能制造技术研究院

发明人： 张章 ,  陈志豪

IPC分类号： G11C11/413 ,  G11C11/416

摘要： 本发明涉及集成电路电路领域，公开了一种基于10T SRAM单元的存内计算和CAM电路。本发明中，本发明公开了一种新型的10T SRAM，和基于10T SRAM的存内运算和CAM电路。10T SRAM具有行和列访问晶体管，支持跨行和列的写操作。所提出的SRAM具有水平和垂直的读取端口，利用双向的读取端口可以实现双向的逻辑操作、搜索操作和矩阵转置，显著提高了计算的灵活性。读写端口的分离解决了多行激活时的读干扰问题，提高了单元的抗干扰能力。此外，外围的计算外设支持阵列进行加法、乘法等复杂的算数运算。

公开(公告)号：CN118447896A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410600078.0

申请日：2024-05-15

申请人： 合肥工业大学

发明人： 张章 ,  孙德凯 ,  陈志豪

IPC分类号： G11C11/419 ,  G11C11/413 ,  G06F15/78

摘要： 本发明公开了一种应用于存内逻辑运算的9管SRAM单元。包括一个7管的写入与存储部分和一个2管的读出与计算部分，一个7管的写入与存储部分，包括NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2、NMOS晶体管N3、NMOS晶体管N4、PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2、PMOS晶体管P3，一个2管的读出与计算部分，包括NMOS晶体管N5、NMOS晶体管N6，该9管SRAM单元由一个写入与存储部分和一个读出与计算部分组成，写入与存储部分包括管N1、管N2、管N3、管N4、管P1、管P2、管P3，读出与计算部分包括管N5、管N6。写入与存储部分负责写入数据、保存数据。读出与计算部分负责读出数据、数据之间的逻辑运算。本发明可以将逻辑运算结果直接存储到存储单元内部，具有稳定性高、功耗低、速度快的优势。