公开(公告)号：CN115287763A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210672023.1

申请日：2022-06-14

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 刘节华 ,  黄文君 ,  魏香凤

IPC: C30B29/46 ,  C30B7/10 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明公开了一种锑基半导体单晶的制备方法，锑基半导体单晶具有独特的一维结构和显着的光电特性在光电领域中得到广泛关注和研究。然而高质量一维锑基半导体单晶报告较少。在本工作中，我们使用五氧化二锑乳液替代锑盐，通过水热法制备了高质量和低界面缺陷的一维锑基半导体单晶，避免了锑盐阴离子对晶体界面的自腐蚀，减少了晶体的界面缺陷并提高了晶体界面稳定性。实验证实了一维锑基半导体单晶表现出良好的光吸收性能。由于其低的晶体界面缺陷，一维锑基半导体单晶基探测器在弱光下具有较高的光响应度和比探测率。

公开(公告)号：CN115287763B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210672023.1

申请日：2022-06-14

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 刘节华 ,  黄文君 ,  魏香凤

IPC: C30B29/46 ,  C30B7/10 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明公开了一种锑基半导体单晶的制备方法，锑基半导体单晶具有独特的一维结构和显着的光电特性在光电领域中得到广泛关注和研究。然而高质量一维锑基半导体单晶报告较少。在本工作中，我们使用五氧化二锑乳液替代锑盐，通过水热法制备了高质量和低界面缺陷的一维锑基半导体单晶，避免了锑盐阴离子对晶体界面的自腐蚀，减少了晶体的界面缺陷并提高了晶体界面稳定性。实验证实了一维锑基半导体单晶表现出良好的光吸收性能。由于其低的晶体界面缺陷，一维锑基半导体单晶基探测器在弱光下具有较高的光响应度和比探测率。

公开(公告)号：CN110428350A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910698956.6

申请日：2019-07-31

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 刘建 ,  周建军 ,  范诗雨 ,  黄文君 ,  程文 ,  汪崟灿 ,  姜烨 ,  殷文斐 ,  姜兆能

IPC: G06Q50/20 ,  G07C1/10 ,  G09B5/14

Abstract: 本发明公开了一种课堂教学辅助系统，包括学生端和教师端，所述教师端包括注册登录模块、班级维护模块、提问模块、点名模块、作业模块、通知模块、讨论模块、成绩模块和摇一摇模块；所述学生端包括用户注册登陆模块、班级维护模块、课堂提问模块、课堂点名模块、课后作业模块、问题讨论模块、成绩模块和摇一摇模块。本发明将娱乐与教学相结合，提供多种教学辅助功能，可极大的提高学生的学习兴趣与学习积极性，同时能让教师更加方便的对学生进行管理，提高教学效率与质量。