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公开(公告)号：CN109121275B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811194090.7
申请日：2018-10-15
申请人： 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
IPC分类号： H05H1/02
摘要： 本发明公开了一种真空室及由该真空室所组成的等离子体装置，真空室包括等离子体限制器、水冷导轨以及用于调整等离子体限制器在水冷导轨上安装位置调整组件；等离子体装置由真空室串联而成，在真空室的端口法兰上设有为等离子体限制器的位置调整提供基准的激光测量用靶标座。本发明能承能实现限制器的稳定运行，可实现限制器沿真空室轴向移动，便于保证真空室串联后多个限制器同心度，为高品质等离子体产生提供基础，同时具有便于拆装的优势。
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公开(公告)号：CN108963393B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810787844.3
申请日：2018-07-18
申请人： 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
IPC分类号： H01P1/08
摘要： 本发明公开了一种水气双冷高功率微波馈入窗，包括对称相接设置真空侧窗体及非真空侧窗体，陶瓷片设置在真空侧窗体中靠近非真空侧窗体的一侧，陶瓷片外周设有水冷通道，非真空侧窗体中设有氮气冷却通道。本发明有别于以往只对陶瓷片焊缝冷却的方式，利用水冷和气冷一起对陶瓷片进行冷却，避免陶瓷片因温度集中而导致碎裂现象的发生，使其可以连续安全可靠工作。
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公开(公告)号：CN109121275A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811194090.7
申请日：2018-10-15
申请人： 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
IPC分类号： H05H1/02
摘要： 本发明公开了一种等离子体限制器、应用该等离子体限制器的真空室及由该真空室所组成的等离子体装置，等离子体限制器包括热沉体，内部沿高度方向上开设有冷却水道，端部设有进出水道口，进出水道口上安装有热沉水嘴，热沉体外设有热沉屏蔽组件；真空室包括等离子体限制器、水冷导轨以及用于调整等离子体限制器在水冷导轨上安装位置调整组件；等离子体装置由真空室串联而成，在真空室的端口法兰上设有为等离子体限制器的位置调整提供基准的激光测量用靶标座。本发明能承能实现限制器的稳定运行，可实现限制器沿真空室轴向移动，便于保证真空室串联后多个限制器同心度，为高品质等离子体产生提供基础，同时具有便于拆装的优势。
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公开(公告)号：CN108963393A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810787844.3
申请日：2018-07-18
申请人： 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
IPC分类号： H01P1/08
CPC分类号： H01P1/08
摘要： 本发明公开了一种水气双冷高功率微波馈入窗，包括对称相接设置真空侧窗体及非真空侧窗体，陶瓷片设置在真空侧窗体中靠近非真空侧窗体的一侧，陶瓷片外周设有水冷通道，非真空侧窗体中设有氮气冷却通道。本发明有别于以往只对陶瓷片焊缝冷却的方式，利用水冷和气冷一起对陶瓷片进行冷却，避免陶瓷片因温度集中而导致碎裂现象的发生，使其可以连续安全可靠工作。
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公开(公告)号：CN109600895B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201811357585.7
申请日：2018-11-15
申请人： 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明公开了一种高密度热阴极等离子体源，包括热阴极发射体，热阴极发射体采用至少一个具有高电子发射特性的条状复合固体材料制成，所述条状复合固体材料总长度远大于其截面长度，端部设有正或负极导电柱，热阴极发射体周边设有与其不接触的耐高温反射辐射层，安装部、热阴极发射体及高温反射辐射层之间相互绝缘，所述安装部沿圆周方向上均布贯穿密封设有多根绝缘电极，绝缘电极穿过发射体支撑板、耐高温反射辐射层连接在热阴极发射体的正或负极导电柱上。本发明能更加高效地利用输入的能量，避免了间热式阴极在真空状态下仅靠热辐射加热的大量能量浪费，产生的电子密度在同样条件下高一倍以上。
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公开(公告)号：CN109600895A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811357585.7
申请日：2018-11-15
申请人： 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明公开了一种高密度热阴极等离子体源，包括热阴极发射体，热阴极发射体采用至少一个具有高电子发射特性的条状复合固体材料制成，所述条状复合固体材料总长度远大于其截面长度，端部设有正或负极导电柱，热阴极发射体周边设有与其不接触的耐高温反射辐射层，安装部、热阴极发射体及高温反射辐射层之间相互绝缘，所述安装部沿圆周方向上均布贯穿密封设有多根绝缘电极，绝缘电极穿过发射体支撑板、耐高温反射辐射层连接在热阴极发射体的正或负极导电柱上。本发明能更加高效地利用输入的能量，避免了间热式阴极在真空状态下仅靠热辐射加热的大量能量浪费，产生的电子密度在同样条件下高一倍以上。
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