提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备

    公开(公告)号:CN1328415C

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200510017278.0

    申请日:2005-11-11

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备,属于有机材料的单晶生长技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成,晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动的可移动底座(5)上,推杆(6)连接在微动台(8)上,由计算机(9)和步进电机控制器(10)控制的步进电机(7)带动可上下移动。晶体生长方法是,使用蒽作为溶剂,将密封好的晶体生长管(1)放入加热的生长炉(2)中,蒽熔化,溶解酞菁类化合物粉末,形成饱和溶液;匀速提升晶体生长管(1),直到蒽溶液蒸发干,进行晶体生长。本发明的效果和益处是单晶生长时间短,成功率高,成本低。

    提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法

    公开(公告)号:CN1786295A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510017278.0

    申请日:2005-11-11

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备与方法,属于有机材料的单晶生长方法技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成,晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动的可移动底座(5)上,推杆(6)连接在微动台(8)上,由计算机(9)和步进电机控制器(10)控制的步进电机(7)带动可上下移动。晶体生长方法是,使用蒽作为溶剂,将密封好的晶体生长管(1)放入加热的生长炉(2)中,蒽熔化,溶解酞菁类化合物粉末,形成饱和溶液;匀速提升晶体生长管(1),直到蒽溶液蒸发干,进行晶体生长。本发明的效果和益处是单晶生长时间短,成功率高,成本低。

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