公开(公告)号：CN115922093A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310020865.3

申请日：2023-01-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 黄虎 ,  安玺桦 ,  钱永峰 ,  李京航 ,  田启骏 ,  郑亚鹏

IPC: B23K26/354

Abstract: 本发明涉及纳秒激光辐照制备单晶硅表面点阵结构的方法，属于材料表面微纳加工领域。所述方法包括以下步骤：将单晶硅依次在无水乙醇和丙酮中进行超声波清洗；将激光聚焦在单晶硅表面，以设定的激光辐照参数在空气环境下对单晶硅表面进行纳秒激光辐照，利用激光辐照诱发的等离子蚀刻效应以及引起的单晶硅表面张力变化，在单晶硅表面诱导形成点阵结构。此外，基于不同激光脉冲重复频率下温度积累的差异，可实现单晶硅表面有序或无序的点阵结构的可控制备。本发明具有工艺流程简单，绿色环保等优点，在微纳光学、半导体工业、光伏太阳能电池等领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN115922093B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202310020865.3

申请日：2023-01-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 黄虎 ,  安玺桦 ,  钱永峰 ,  李京航 ,  田启骏 ,  郑亚鹏

IPC: B23K26/354

Abstract: 本发明涉及纳秒激光辐照制备单晶硅表面点阵结构的方法，属于材料表面微纳加工领域。所述方法包括以下步骤：将单晶硅依次在无水乙醇和丙酮中进行超声波清洗；将激光聚焦在单晶硅表面，以设定的激光辐照参数在空气环境下对单晶硅表面进行纳秒激光辐照，利用激光辐照诱发的等离子蚀刻效应以及引起的单晶硅表面张力变化，在单晶硅表面诱导形成点阵结构。此外，基于不同激光脉冲重复频率下温度积累的差异，可实现单晶硅表面有序或无序的点阵结构的可控制备。本发明具有工艺流程简单，绿色环保等优点，在微纳光学、半导体工业、光伏太阳能电池等领域具有潜在的应用价值。