公开(公告)号：CN103926713B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410155328.0

申请日：2014-04-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 苏雪梅 ,  王涛 ,  张锐 ,  李翠莉 ,  卓仲畅

IPC: G02F1/017

Abstract: 本发明的基于量子阱子带跃迁的隧穿诱导透明效应的时延器件，属于半导体材料技术领域，特别涉及一种用于光电子领域的时延器件。其结构是，在GaAs材料的基底（1）上依次生长有AlAs层（2）、第一势垒层（3）、浅量子阱层（4）、第二势垒层（5）、深量子阱层（6）、第三势垒层（7）和连续区（8）；以第一势垒层（3）～连续区（8）为一个周期，共排列有6～15个周期；然后有覆盖层（9），最外层有空气隔离层（10）。本发明的时延器件的延时时间可以达到皮秒量级，可以应用于光电子学领域。本发明的时延器件比采用原子系统时延器件更实用，其结构与材料可以人为地选择，相干强度可以控制和改变。

公开(公告)号：CN103926713A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410155328.0

申请日：2014-04-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 苏雪梅 ,  王涛 ,  张锐 ,  李翠莉 ,  卓仲畅

IPC: G02F1/017

Abstract: 本发明的基于量子阱子带跃迁的隧穿诱导透明效应的时延器件，属于半导体材料技术领域，特别涉及一种用于光电子领域的时延器件。其结构是，在GaAs材料的基底（1）上依次生长有AlAs层（2）、第一势垒层（3）、浅量子阱层（4）、第二势垒层（5）、深量子阱层（6）、第三势垒层（7）和连续区（8）；以第一势垒层（3）～连续区（8）为一个周期，共排列有6～15个周期；然后有覆盖层（9），最外层有空气隔离层（10）。本发明的时延器件的延时时间可以达到皮秒量级，可以应用于光电子学领域。本发明的时延器件比采用原子系统时延器件更实用，其结构与材料可以人为地选择，相干强度可以控制和改变。